Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129201 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862617716445151232 |
|---|---|
| author | Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. |
| author_facet | Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. |
| citation_txt | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5.
The temperature and magnetic-field dependences of the resistance of Si/SiGe heterojunctions with hole-type conductivity are investigated. It is shown that the features of these dependences are due to a manifestation of quantum interference effects — weak localization of the mobile charge carriers, and the hole–hole interaction in the two-dimensional electron system. On the basis of an analysis of the quantum interference effects, the temperature dependence of the dephasing time of the wave function of the charge carrier is determined: τφ=6.6×10⁻¹²T⁻¹s. This dependence τφ∝T⁻¹ must be regarded as a manifestation of hole–hole scattering processes in the two-dimensional electron system. The contribution to the magnetoresistance from the hole–hole interaction in the Cooper channel is extracted, and the corresponding interaction constant λC0≈0.5 is found.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:12:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129201 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:12:47Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. 2018-01-16T18:09:34Z 2018-01-16T18:09:34Z 2000 Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.Fz, 72.20.My https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129201 Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5. The temperature and magnetic-field dependences of the resistance of Si/SiGe heterojunctions with hole-type conductivity are investigated. It is shown that the features of these dependences are due to a manifestation of quantum interference effects — weak localization of the mobile charge carriers, and the hole–hole interaction in the two-dimensional electron system. On the basis of an analysis of the quantum interference effects, the temperature dependence of the dephasing time of the wave function of the charge carrier is determined: τφ=6.6×10⁻¹²T⁻¹s. This dependence τφ∝T⁻¹ must be regarded as a manifestation of hole–hole scattering processes in the two-dimensional electron system. The contribution to the magnetoresistance from the hole–hole interaction in the Cooper channel is extracted, and the corresponding interaction constant λC0≈0.5 is found. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах Quantum effects in hole-type Si/SiGe heterojunctions Article published earlier |
| spellingShingle | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
| title_alt | Quantum effects in hole-type Si/SiGe heterojunctions |
| title_full | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
| title_fullStr | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
| title_full_unstemmed | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
| title_short | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
| title_sort | квантовые эффекты в дырочных si/sige гетеропереходах |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129201 |
| work_keys_str_mv | AT komnikûf kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT andrievskiivv kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT berkutovib kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT krâčkoss kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT mironovm kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT vollte kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT komnikûf quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions AT andrievskiivv quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions AT berkutovib quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions AT krâčkoss quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions AT mironovm quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions AT vollte quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions |