Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2000
Автори: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б., Крячко, С.С., Миронов, М., Волл, Т.E.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Теми:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129201
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129201
record_format dspace
spelling Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
2018-01-16T18:09:34Z
2018-01-16T18:09:34Z
2000
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.20.Fz, 72.20.My
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129201
Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5.
The temperature and magnetic-field dependences of the resistance of Si/SiGe heterojunctions with hole-type conductivity are investigated. It is shown that the features of these dependences are due to a manifestation of quantum interference effects — weak localization of the mobile charge carriers, and the hole–hole interaction in the two-dimensional electron system. On the basis of an analysis of the quantum interference effects, the temperature dependence of the dephasing time of the wave function of the charge carrier is determined: τφ=6.6×10⁻¹²T⁻¹s. This dependence τφ∝T⁻¹ must be regarded as a manifestation of hole–hole scattering processes in the two-dimensional electron system. The contribution to the magnetoresistance from the hole–hole interaction in the Cooper channel is extracted, and the corresponding interaction constant λC0≈0.5 is found.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
Quantum effects in hole-type Si/SiGe heterojunctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
spellingShingle Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_full Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_fullStr Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_full_unstemmed Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_sort квантовые эффекты в дырочных si/sige гетеропереходах
author Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
author_facet Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 2000
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Quantum effects in hole-type Si/SiGe heterojunctions
description Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5. The temperature and magnetic-field dependences of the resistance of Si/SiGe heterojunctions with hole-type conductivity are investigated. It is shown that the features of these dependences are due to a manifestation of quantum interference effects — weak localization of the mobile charge carriers, and the hole–hole interaction in the two-dimensional electron system. On the basis of an analysis of the quantum interference effects, the temperature dependence of the dephasing time of the wave function of the charge carrier is determined: τφ=6.6×10⁻¹²T⁻¹s. This dependence τφ∝T⁻¹ must be regarded as a manifestation of hole–hole scattering processes in the two-dimensional electron system. The contribution to the magnetoresistance from the hole–hole interaction in the Cooper channel is extracted, and the corresponding interaction constant λC0≈0.5 is found.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129201
citation_txt Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT komnikûf kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT andrievskiivv kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT berkutovib kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT krâčkoss kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT mironovm kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT vollte kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT komnikûf quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions
AT andrievskiivv quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions
AT berkutovib quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions
AT krâčkoss quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions
AT mironovm quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions
AT vollte quantumeffectsinholetypesisigeheterojunctions
first_indexed 2025-12-07T13:12:47Z
last_indexed 2025-12-07T13:12:47Z
_version_ 1850855304760131584

Схожі ресурси