Проявление зонной структуры полуметалла в туннельной проводимости контактов металл-изолятор-полуметалл

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2000
• Автори: Хачатуров, А.И., Хатта, И., Свистунов, В.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129231
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Проявление зонной структуры полуметалла в туннельной проводимости контактов металл-изолятор-полуметалл / А.И. Хачатуров, И. Хатта, В.М. Свистунов // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1115-1120. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Найден вклад от электронной зоны полуметалла в дифференциальную проводимость туннельного контакта металл-изолятор-полуметалл. Установлено, что его величина существенно зависит от барьерных параметров. По своей форме он представляет собой выпуклость, максимум которой в общем случае не соответствует, как это предполагалось ранее, ни краям зоны, ни ее седловой точке. Показано, что зонная структура хорошо разрешается во второй производной от тока по напряжению d² I/dV² . The contribution of the electron band of the semimetal to the differential conductance of a metal–insulator–semimetal tunnel junction is found. It is established that the tunneling conductance depends substantially on the barrier parameters. The conductance curve exhibits a convexity with a maximum that in general does not correspond to the edges of the band or to a saddle point of the band, as has been proposed previously. It is shown that the band structure is well resolved in the second derivative of the current with respect to the voltage, d²I/dV² .