Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
Представлены результаты комплексных исследований геликонной интерферометрии, нерезонансного циклотронного поглощения и эффекта Шубникова-де Гааза на СВЧ в соединении HgTe и твердых растворах Hg₁₋xCdxTe. Анализ полученных экспериментальных результатов и существующих в настоящее время теоретических пр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129235 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1150-1154. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129235 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. 2018-01-17T20:55:32Z 2018-01-17T20:55:32Z 2000 Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1150-1154. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.80.Ey https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129235 Представлены результаты комплексных исследований геликонной интерферометрии, нерезонансного циклотронного поглощения и эффекта Шубникова-де Гааза на СВЧ в соединении HgTe и твердых растворах Hg₁₋xCdxTe. Анализ полученных экспериментальных результатов и существующих в настоящее время теоретических представлений позволил сделать вывод о том, что в бесщелевом полупроводнике HgTe и твердых растворах на его основе величина статической диэлектрической проницаемости es зависит от концентрации электронов проводимости и зонных параметров. В интервале значений 0,155≤x≤0,2 обнаружено аномальное поведение εs(x), которое связывается с изменением структуры краев зоны проводимости и валентной зоны в Hg₁₋xCdxTe. Results are presented from a comprehensive study of helicon interferometry, nonresonant cyclotron absorption, and the Shubnikov–de Haas effect at microwave frequencies in the compound HgTe and in Hg₁₋xCdxTe solid solutions. Analysis of the experimental results and the already existing theoretical concepts suggests that in the gapless semiconductor HgTe and its solid solutions the static dielectric permittivity ε s depends on the concentration of conduction electrons and the band parameters. Anomalous behavior of εs(x) is observed in the concentration interval 0.155≤x≤0.2 and is attributed to a change in the structure of the edges of the conduction and valence bands in Hg₁₋xCdxTe. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe Static dielectric permittivity in gapless solid solutions Hg₁₋xCdxTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe |
| spellingShingle |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title_short |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe |
| title_full |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe |
| title_fullStr |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe |
| title_full_unstemmed |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe |
| title_sort |
статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах hg₁₋xcdxte |
| author |
Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. |
| author_facet |
Прозоровский, В.Д. Решидова, И.Ю. Пузыня, А.И. |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Static dielectric permittivity in gapless solid solutions Hg₁₋xCdxTe |
| description |
Представлены результаты комплексных исследований геликонной интерферометрии, нерезонансного циклотронного поглощения и эффекта Шубникова-де Гааза на СВЧ в соединении HgTe и твердых растворах Hg₁₋xCdxTe. Анализ полученных экспериментальных результатов и существующих в настоящее время теоретических представлений позволил сделать вывод о том, что в бесщелевом полупроводнике HgTe и твердых растворах на его основе величина статической диэлектрической проницаемости es зависит от концентрации электронов проводимости и зонных параметров. В интервале значений 0,155≤x≤0,2 обнаружено аномальное поведение εs(x), которое связывается с изменением структуры краев зоны проводимости и валентной зоны в Hg₁₋xCdxTe.
Results are presented from a comprehensive study of helicon interferometry, nonresonant cyclotron absorption, and the Shubnikov–de Haas effect at microwave frequencies in the compound HgTe and in Hg₁₋xCdxTe solid solutions. Analysis of the experimental results and the already existing theoretical concepts suggests that in the gapless semiconductor HgTe and its solid solutions the static dielectric permittivity ε s depends on the concentration of conduction electrons and the band parameters. Anomalous behavior of εs(x) is observed in the concentration interval 0.155≤x≤0.2 and is attributed to a change in the structure of the edges of the conduction and valence bands in Hg₁₋xCdxTe.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129235 |
| citation_txt |
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1150-1154. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT prozorovskiivd statičeskaâdiélektričeskaâpronicaemostʹvbesŝelevyhtverdyhrastvorahhg1xcdxte AT rešidovaiû statičeskaâdiélektričeskaâpronicaemostʹvbesŝelevyhtverdyhrastvorahhg1xcdxte AT puzynâai statičeskaâdiélektričeskaâpronicaemostʹvbesŝelevyhtverdyhrastvorahhg1xcdxte AT prozorovskiivd staticdielectricpermittivityingaplesssolidsolutionshg1xcdxte AT rešidovaiû staticdielectricpermittivityingaplesssolidsolutionshg1xcdxte AT puzynâai staticdielectricpermittivityingaplesssolidsolutionshg1xcdxte |
| first_indexed |
2025-11-30T11:35:46Z |
| last_indexed |
2025-11-30T11:35:46Z |
| _version_ |
1850857557217771520 |