Кривая фазового расслоения ГПУ слабых твердых растворов ³He-⁴He
Предложена методика построения фазовой диаграммы расслоения твердых растворов ³He-⁴He, основанная на прецизионном измерении скачка давления, вызванного фазовым расслоением, происходящим при постоянном объеме. Методика была реализована на высококачественных образцах твердых растворов, что позволило п...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129246 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Кривая фазового расслоения ГПУ слабых твердых растворов ³He-⁴He / А.Н. Ганьшин, В.Н. Григорьев, В.А. Майданов, Н.Ф. Омелаенко, А.А. Пензев, Э.Я. Рудавский, А.С. Рыбалко // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1175-1181. — Бібліогр.: 15. назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Предложена методика построения фазовой диаграммы расслоения твердых растворов ³He-⁴He, основанная на прецизионном измерении скачка давления, вызванного фазовым расслоением, происходящим при постоянном объеме. Методика была реализована на высококачественных образцах твердых растворов, что позволило получить надежные воспроизводимые экспериментальные данные без существенного проявления гистерезисных эффектов. Построенная на основании экспериментальных данных линия фазового расслоения сопоставляется с разными теоретическими подходами, описывающими фазовое расслоение в твердых растворах изотопов гелия. Установлено, что хорошее согласие с экспеpиментом наблюдается лишь для модели Эдвардса-Балибара, которая является развитием теории регулярных растворов с учетом различия кристаллических структур (ГПУ и ОЦК), существующих в системе фаз. |
|---|