Гаджиев, Б. (2000). Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si². Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Гаджиев, Б.Р. Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si². Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, 2000.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Гаджиев, Б.Р. Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si². Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, 2000.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.