Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si²
В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соеди...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129247 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862536595602669568 |
|---|---|
| author | Гаджиев, Б.Р. |
| author_facet | Гаджиев, Б.Р. |
| citation_txt | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr₂Si₂ описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности.
It is shown in a phenomenological approach that the symmetry space group I4/mmm of the paramagnetic phase in compounds of the ThCr₂Si₂ type arises as a result of a structural phase transition from a close-packed paraphase with space group Im3m It is found that the real magnetic orderings in compounds of the ThCr₂Si₂ type is described by transition parameters belonging to a single direction, along the line joining the points of maximum symmetry in the Brillouin zone of the I4/mmm group. It is shown that the variations of the modulus of the wave vector are a consequence of a change in the dopant concentration. The spatial dependence of the order parameter in the incommensurate phases is obtained for the corresponding universality classes.
|
| first_indexed | 2025-11-24T11:38:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129247 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T11:38:28Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаджиев, Б.Р. 2018-01-18T14:42:27Z 2018-01-18T14:42:27Z 2000 Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос. 0132-6414 PACS: 75.25.+z https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129247 В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr₂Si₂ описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности. It is shown in a phenomenological approach that the symmetry space group I4/mmm of the paramagnetic phase in compounds of the ThCr₂Si₂ type arises as a result of a structural phase transition from a close-packed paraphase with space group Im3m It is found that the real magnetic orderings in compounds of the ThCr₂Si₂ type is described by transition parameters belonging to a single direction, along the line joining the points of maximum symmetry in the Brillouin zone of the I4/mmm group. It is shown that the variations of the modulus of the wave vector are a consequence of a change in the dopant concentration. The spatial dependence of the order parameter in the incommensurate phases is obtained for the corresponding universality classes. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² Structure genesis and magnetic orderings in compounds of the ThCr²Si² type Article published earlier |
| spellingShingle | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² Гаджиев, Б.Р. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_alt | Structure genesis and magnetic orderings in compounds of the ThCr²Si² type |
| title_full | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_fullStr | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_full_unstemmed | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_short | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_sort | генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа thcr²si² |
| topic | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129247 |
| work_keys_str_mv | AT gadžievbr genezisstrukturimagnitnyeuporâdočeniâvsoedineniâhtipathcr2si2 AT gadžievbr structuregenesisandmagneticorderingsincompoundsofthethcr2si2type |