Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si²

• Datum: 2000
• 1. Verfasser: Гаджиев, Б.Р.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129247
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос.

В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соеди...