Беркутов, И., Комник, Ю., Миронов, О., Волл, Т., & Андриевский, В. (2000). Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. Физика низких температур.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Беркутов, И.Б, Ю.Ф Комник, О.А Миронов, Т.Е Волл, und В.В Андриевский. "Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в P-Si/SiGe гетеропереходах." Физика низких температур 2000.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Беркутов, И.Б, et al. "Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в P-Si/SiGe гетеропереходах." Физика низких температур, 2000.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.