Беркутов, И., Комник, Ю., Миронов, О., Волл, Т., & Андриевский, В. (2000). Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. Физика низких температур.
Chicago Style (17th ed.) CitationБеркутов, И.Б, Ю.Ф Комник, О.А Миронов, Т.Е Волл, and В.В Андриевский. "Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в P-Si/SiGe гетеропереходах." Физика низких температур 2000.
MLA (8th ed.) CitationБеркутов, И.Б, et al. "Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в P-Si/SiGe гетеропереходах." Физика низких температур, 2000.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.