Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τe...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129251 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. 2018-01-18T14:52:07Z 2018-01-18T14:52:07Z 2000 Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 72.20.Ht https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251 В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τeph=10⁻⁸T⁻² c. Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ heterojunctions with p-type conductivity exhibit an electron overheating effect. An analysis of the damping of the amplitudes of the Shubnikov–de Haas oscillations upon a change in temperature and applied electric field yields the temperature dependence of the electron–phonon relaxation time:τeph=10⁻⁸T⁻² s. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкоразмерные и неупорядоченные системы Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах Temperature dependence of the electron–phonon scattering time of charge carriers in p-Si/SiGe heterojunctions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| spellingShingle |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| title_short |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_full |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_fullStr |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_full_unstemmed |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_sort |
температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-si/sige гетеропереходах |
| author |
Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. |
| author_facet |
Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. |
| topic |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| topic_facet |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Temperature dependence of the electron–phonon scattering time of charge carriers in p-Si/SiGe heterojunctions |
| description |
В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τeph=10⁻⁸T⁻² c.
Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ heterojunctions with p-type conductivity exhibit an electron overheating effect. An analysis of the damping of the amplitudes of the Shubnikov–de Haas oscillations upon a change in temperature and applied electric field yields the temperature dependence of the electron–phonon relaxation time:τeph=10⁻⁸T⁻² s.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251 |
| citation_txt |
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT berkutovib temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT komnikûf temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT mironovoa temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT vollte temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT andrievskiivv temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT berkutovib temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT komnikûf temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT mironovoa temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT vollte temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT andrievskiivv temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions |
| first_indexed |
2025-12-02T14:17:17Z |
| last_indexed |
2025-12-02T14:17:17Z |
| _version_ |
1850862727440891904 |