Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τe...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862663131870789632 |
|---|---|
| author | Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. |
| author_facet | Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. |
| citation_txt | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τeph=10⁻⁸T⁻² c.
Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ heterojunctions with p-type conductivity exhibit an electron overheating effect. An analysis of the damping of the amplitudes of the Shubnikov–de Haas oscillations upon a change in temperature and applied electric field yields the temperature dependence of the electron–phonon relaxation time:τeph=10⁻⁸T⁻² s.
|
| first_indexed | 2025-12-02T14:17:17Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129251 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T14:17:17Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. 2018-01-18T14:52:07Z 2018-01-18T14:52:07Z 2000 Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 72.20.Ht https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251 В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τeph=10⁻⁸T⁻² c. Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ heterojunctions with p-type conductivity exhibit an electron overheating effect. An analysis of the damping of the amplitudes of the Shubnikov–de Haas oscillations upon a change in temperature and applied electric field yields the temperature dependence of the electron–phonon relaxation time:τeph=10⁻⁸T⁻² s. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкоразмерные и неупорядоченные системы Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах Temperature dependence of the electron–phonon scattering time of charge carriers in p-Si/SiGe heterojunctions Article published earlier |
| spellingShingle | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Волл, Т.Е. Андриевский, В.В. Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| title | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_alt | Temperature dependence of the electron–phonon scattering time of charge carriers in p-Si/SiGe heterojunctions |
| title_full | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_fullStr | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_full_unstemmed | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_short | Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах |
| title_sort | температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-si/sige гетеропереходах |
| topic | Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| topic_facet | Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251 |
| work_keys_str_mv | AT berkutovib temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT komnikûf temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT mironovoa temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT vollte temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT andrievskiivv temperaturnaâzavisimostʹvremeniélektronfononnogorasseâniânositeleizarâdavpsisigegeteroperehodah AT berkutovib temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT komnikûf temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT mironovoa temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT vollte temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions AT andrievskiivv temperaturedependenceoftheelectronphononscatteringtimeofchargecarriersinpsisigeheterojunctions |