Зображення обкладинки

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах

В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: τe...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2000
Автори:	Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Волл, Т.Е., Андриевский, В.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Теми:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129251
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1202-1206. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в ртути
за авторством: Хоткевич, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Микроконтактная функция электрон-фононного взаимодействия в цирконии
за авторством: Бобров, Н.Л., та інші
Опубліковано: (2016)

Микроконтактная спектроскопия электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниках
за авторством: Бобров, Н.Л., та інші
Опубліковано: (2014)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка
за авторством: Хоткевич, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
за авторством: Андриевский, В.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Функция электрон-фононного взаимодействия в слоистом дихалькогениде 2Ha-TaSe₂
за авторством: Камарчук, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на электронный спектр вольфрама и галлия
за авторством: Бурма, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012)

Восстановление функции электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводящих баллистических контактах из тантала
за авторством: Бобров, Н.Л.
Опубліковано: (2019)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
за авторством: Коршунов, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
за авторством: Маматкаримов, О.О., та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
за авторством: Каширин, В.Ю., та інші
Опубліковано: (1997)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Амплитудно-частотная зависимость доплерон-фононного резонанса
за авторством: Цымбал, Л.Т., та інші
Опубліковано: (1998)

Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Акустоэлектрическая трансформация на границе металла. Учет поверхностного рассеяния носителей
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2003)

Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
за авторством: Каширин, В.Ю., та інші
Опубліковано: (1996)

Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)

Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
за авторством: Старцев, В.Е., та інші
Опубліковано: (1996)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (1995)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2003)