Постоянная решетки и линейный коэффициент теплового расширения кристалла кремния. Влияние композиции изотопов

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2000
• Автор: Жернов, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Теми: Динамика кристаллической решетки
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129254
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Постоянная решетки и линейный коэффициент теплового расширения кристалла кремния. Влияние композиции изотопов / А.П. Жернов // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1226-1235. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Анализируются особенности температурного поведения постоянной решетки и коэффициента теплового расширения кристаллов кремния в рамках модели зарядов на связях. С разумной количественной точностью описаны коэффициент теплового расширения и фактор Грюнайзена для естественного состава изотопов. Подробно обсуждается влияние композиции изотопов на значения постоянной решетки. The features of the temperature behavior of the lattice constant and the coefficient of thermal expansion of silicon crystals are analyzed in the bond-charge model. The coefficient of thermal expansion and the Grüneisen factor for the natural isotopic composition are described to reasonable quantitative accuracy. The influence of the isotopic composition on the value of the lattice constant is discussed in detail.