Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2016
• Main Authors: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Шарапова, И.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Subjects: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости
 электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения
 наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего
 напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы. Продовжено експериментальне дослідження знайденої раніш різкої зміни провідності електронного кристала в умовах неповної компенсації притискуючого потенціалу. Для пояснення поведінки, що спостерігається, проведено моделювання процесу вимірювання методом молекулярної динаміки. Показано, що
 відгук електронного кристала в умовах неповного притискуючого потенціалу, який спостереджується,
 пов’язан не зі зміною провідності електронного шару, як передбачалось раніше, а з особливостями ємнісних
 вимірювань транспортних характеристик двовимірної електронної системи. This is a continuation of an experimental study of the previously observed abrupt change in the conductivity of electron crystals with incomplete compensation of the holding field. Molecular dynamics modelling of the process is used to explain the observed behavior. It is shown that the most likely reason for the response of electron crystals under conditions of incomplete compensation of the holding voltage is features of the capacitance measurements of the transport characteristics of the two-dimensional electron system, rather than changes in the conductivity of the electron layer, as assumed previously.