Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля

Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2016
Hauptverfasser: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Шарапова, И.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129288
record_format dspace
spelling Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Шарапова, И.В.
2018-01-18T17:32:57Z
2018-01-18T17:32:57Z
2016
Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.40.–c, 67.90.+z
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288
Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы.
Продовжено експериментальне дослідження знайденої раніш різкої зміни провідності електронного кристала в умовах неповної компенсації притискуючого потенціалу. Для пояснення поведінки, що спостерігається, проведено моделювання процесу вимірювання методом молекулярної динаміки. Показано, що відгук електронного кристала в умовах неповного притискуючого потенціалу, який спостереджується, пов’язан не зі зміною провідності електронного шару, як передбачалось раніше, а з особливостями ємнісних вимірювань транспортних характеристик двовимірної електронної системи.
This is a continuation of an experimental study of the previously observed abrupt change in the conductivity of electron crystals with incomplete compensation of the holding field. Molecular dynamics modelling of the process is used to explain the observed behavior. It is shown that the most likely reason for the response of electron crystals under conditions of incomplete compensation of the holding voltage is features of the capacitance measurements of the transport characteristics of the two-dimensional electron system, rather than changes in the conductivity of the electron layer, as assumed previously.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
Response of electron crystals to external excitation with incomplete holding field compensation
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
spellingShingle Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Шарапова, И.В.
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
title_short Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
title_full Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
title_fullStr Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
title_full_unstemmed Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
title_sort отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
author Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Шарапова, И.В.
author_facet Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Шарапова, И.В.
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
publishDate 2016
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Response of electron crystals to external excitation with incomplete holding field compensation
description Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы. Продовжено експериментальне дослідження знайденої раніш різкої зміни провідності електронного кристала в умовах неповної компенсації притискуючого потенціалу. Для пояснення поведінки, що спостерігається, проведено моделювання процесу вимірювання методом молекулярної динаміки. Показано, що відгук електронного кристала в умовах неповного притискуючого потенціалу, який спостереджується, пов’язан не зі зміною провідності електронного шару, як передбачалось раніше, а з особливостями ємнісних вимірювань транспортних характеристик двовимірної електронної системи. This is a continuation of an experimental study of the previously observed abrupt change in the conductivity of electron crystals with incomplete compensation of the holding field. Molecular dynamics modelling of the process is used to explain the observed behavior. It is shown that the most likely reason for the response of electron crystals under conditions of incomplete compensation of the holding voltage is features of the capacitance measurements of the transport characteristics of the two-dimensional electron system, rather than changes in the conductivity of the electron layer, as assumed previously.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288
citation_txt Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sivokonʹve otklikélektronnogokristallanavnešneevozmuŝenievusloviâhnepolnoikompensaciiprižimaûŝegopolâ
AT nasedkinka otklikélektronnogokristallanavnešneevozmuŝenievusloviâhnepolnoikompensaciiprižimaûŝegopolâ
AT šarapovaiv otklikélektronnogokristallanavnešneevozmuŝenievusloviâhnepolnoikompensaciiprižimaûŝegopolâ
AT sivokonʹve responseofelectroncrystalstoexternalexcitationwithincompleteholdingfieldcompensation
AT nasedkinka responseofelectroncrystalstoexternalexcitationwithincompleteholdingfieldcompensation
AT šarapovaiv responseofelectroncrystalstoexternalexcitationwithincompleteholdingfieldcompensation
first_indexed 2025-12-07T18:37:21Z
last_indexed 2025-12-07T18:37:21Z
_version_ 1850875724367396864