Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля
Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости
 электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения
 наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамик...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862722723585720320 |
|---|---|
| author | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Шарапова, И.В. |
| author_facet | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Шарапова, И.В. |
| citation_txt | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости
электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения
наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего
напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы.
Продовжено експериментальне дослідження знайденої раніш різкої зміни провідності електронного кристала в умовах неповної компенсації притискуючого потенціалу. Для пояснення поведінки, що спостерігається, проведено моделювання процесу вимірювання методом молекулярної динаміки. Показано, що
відгук електронного кристала в умовах неповного притискуючого потенціалу, який спостереджується,
пов’язан не зі зміною провідності електронного шару, як передбачалось раніше, а з особливостями ємнісних
вимірювань транспортних характеристик двовимірної електронної системи.
This is a continuation of an experimental study of the previously observed abrupt change in the conductivity of electron crystals with incomplete compensation of the holding field. Molecular dynamics modelling of the process is used to explain the observed behavior. It is shown that the most likely reason for the response of electron crystals under conditions of incomplete compensation of the holding voltage is features of the capacitance measurements of the transport characteristics of the two-dimensional electron system, rather than changes in the conductivity of the electron layer, as assumed previously.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:37:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129288 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:37:21Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Шарапова, И.В. 2018-01-18T17:32:57Z 2018-01-18T17:32:57Z 2016 Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 919-928. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.40.–c, 67.90.+z https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288 Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости
 электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения
 наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего
 напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы. Продовжено експериментальне дослідження знайденої раніш різкої зміни провідності електронного кристала в умовах неповної компенсації притискуючого потенціалу. Для пояснення поведінки, що спостерігається, проведено моделювання процесу вимірювання методом молекулярної динаміки. Показано, що
 відгук електронного кристала в умовах неповного притискуючого потенціалу, який спостереджується,
 пов’язан не зі зміною провідності електронного шару, як передбачалось раніше, а з особливостями ємнісних
 вимірювань транспортних характеристик двовимірної електронної системи. This is a continuation of an experimental study of the previously observed abrupt change in the conductivity of electron crystals with incomplete compensation of the holding field. Molecular dynamics modelling of the process is used to explain the observed behavior. It is shown that the most likely reason for the response of electron crystals under conditions of incomplete compensation of the holding voltage is features of the capacitance measurements of the transport characteristics of the two-dimensional electron system, rather than changes in the conductivity of the electron layer, as assumed previously. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля Response of electron crystals to external excitation with incomplete holding field compensation Article published earlier |
| spellingShingle | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Шарапова, И.В. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| title | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля |
| title_alt | Response of electron crystals to external excitation with incomplete holding field compensation |
| title_full | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля |
| title_fullStr | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля |
| title_full_unstemmed | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля |
| title_short | Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля |
| title_sort | отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля |
| topic | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| topic_facet | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129288 |
| work_keys_str_mv | AT sivokonʹve otklikélektronnogokristallanavnešneevozmuŝenievusloviâhnepolnoikompensaciiprižimaûŝegopolâ AT nasedkinka otklikélektronnogokristallanavnešneevozmuŝenievusloviâhnepolnoikompensaciiprižimaûŝegopolâ AT šarapovaiv otklikélektronnogokristallanavnešneevozmuŝenievusloviâhnepolnoikompensaciiprižimaûŝegopolâ AT sivokonʹve responseofelectroncrystalstoexternalexcitationwithincompleteholdingfieldcompensation AT nasedkinka responseofelectroncrystalstoexternalexcitationwithincompleteholdingfieldcompensation AT šarapovaiv responseofelectroncrystalstoexternalexcitationwithincompleteholdingfieldcompensation |