Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием

Выполнен комплексный анализ магнитно-резонансных свойств многослойной структуры F₁/f(d)/F₂pin, где F₁ и F₂pin — свободный и обменно-закрепленный сильномагнитные слои, f — слабомагнитная прослойка с точкой Кюри в окрестности комнатной температуры. В зависимости от магнитного состояния спейсера f (ф...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2016
Автори: Полищук, Д.М., Тихоненко-Полищук, Ю.О., Кравец, А.Ф., Товстолыткин, А.И., Джежеря, Ю.И., Погорелый, А.Н., Korenivski, V.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129294
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием / Д.М. Полищук, Ю.О. Тихоненко-Полищук, А.Ф. Кравец, А.И. Товстолыткин, Ю.И. Джежеря, А.Н. Погорелый, V. Korenivski // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 972-980. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129294
record_format dspace
spelling Полищук, Д.М.
Тихоненко-Полищук, Ю.О.
Кравец, А.Ф.
Товстолыткин, А.И.
Джежеря, Ю.И.
Погорелый, А.Н.
Korenivski, V.
2018-01-18T17:38:15Z
2018-01-18T17:38:15Z
2016
Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием / Д.М. Полищук, Ю.О. Тихоненко-Полищук, А.Ф. Кравец, А.И. Товстолыткин, Ю.И. Джежеря, А.Н. Погорелый, V. Korenivski // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 972-980. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 75.70.Cn, 75.75.–c, 76.50.+g
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129294
Выполнен комплексный анализ магнитно-резонансных свойств многослойной структуры F₁/f(d)/F₂pin, где F₁ и F₂pin — свободный и обменно-закрепленный сильномагнитные слои, f — слабомагнитная прослойка с точкой Кюри в окрестности комнатной температуры. В зависимости от магнитного состояния спейсера f (ферромагнитное или парамагнитное) обменное взаимодействие между слоями F₁ и F₂pin становится функцией температуры, что открывает широкие возможности для практических применений. Полученные результаты показывают, что межслойная обменная связь может быть усилена или путем уменьшения толщины спейсера d, или путем понижения температуры. Усиление обменной связи приводит к более сильному проявлению однонаправленной анизотропии в ферромагнитном резонансе слоя F₁, а также к нетипичному для тонких пленок уширению резонансных линий. Обнаруженные особенности анализируются в контексте сравнения двух эффектов различной природы — влияния толщины спейсера d и температуры. Так, характер изменения однонаправленной анизотропии остается одинаковым при варьировании как толщины спейсера, так и температуры. Однако уширение линии магнитного резонанса оказывается более чувствительным к изменению межслойного взаимодействия, вызванному вариацией d, и менее чувствительным к изменениям, вызванным изменением температуры.
Виконано комплексний аналіз магнітно-резонансних властивостей багатошарової структури F₁/f(d)/F₂pin, де F₁ і F₂pin — вільний та обмінно-закріплений сильномагнітні шари, f — слабко магнітний прошарок з точкою Кюрі поблизу кімнатної температури. В залежності від магнітного стану спейсера f (феромагнітний чи парамагнітний) обмінна взаємодія між шарами F₁ і F₂pin стає функцією температури, що відкриває широкі можливості для практичних застосувань. Отримані результати показують, що міжшарова обмінна взаємодія може бути підсилена або шляхом зменшення товщини спейсера d, або шляхом зниження температури. Підсилення обмінного зв’язку призводить до сильнішого прояву однонаправленої анізотропії в феромагнітному резонансі шару F₁, а також до нетипового для тонких плівок уширення резонансних ліній. Виявлені особливості аналізуються в контексті порівняння двох ефектів різної природи — впливу товщини спейсера d і температури. Так, характер зміни магнітної анізотропії залишається однаковим при зміні як товщини спейсера, так і температури. Однак уширення лінії магнітного резонансу виявляється більш чутливим до зміни міжшарової взаємодії, спричиненої варіацією d, і менш чутливим до змін, спричинених зміною температури.
This study is a comprehensive analysis of a multilayer F₁/f( d)/F₂pin structure's magnetic resonance properties, wherein F₁ and F₂pin are the free and exchange-coupled strong magnetic layers, and f is the weakly magnetic layer with a Curie point in the room temperature region. Depending on the magnetic state of the spacer f (ferromagnetic or paramagnetic) the exchange interaction between the F₂ and F₂pin layers becomes a function of the temperature, which opens up opportunities for practical applications. The obtained results show that the interlayer exchange coupling can be enhanced by decreasing the thickness of the spacer d, or by lowering the temperature. Strengthening the exchange coupling leads to a stronger manifestation of unidirectional anisotropy in the ferromagnetic resonance layer F ₁, as well as to a broadening of the resonance line that is atypical for thin films. The observed features are analyzed in the context of comparing the effects of two different natures: the influence of the spacer d and the influence of the temperature. Thus, the behavior of changes to the unidirectional anisotropy remains the same given variation of both the thickness of the spacer and the temperature. However the broadening of the magnetic resonance line is more sensitive to changes in the interlayer interaction caused by variation of d, and is less susceptible to changes caused by temperature.
Работа выполнена при финансовой поддержке Национальной академии наук Украины (проекты №№ 0115U00974 и 0115U003536), Министерства образования и науки Украины (совместный проект Украина–Индия № 0116U004298), Swedish Stiftelse Olle Engkvist Byggmastare и the Swedish Research Council (грант VR 2014-4548).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
Ferromagnetic resonance in nanostructures with temperature-controlled interlayer interaction
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
spellingShingle Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
Полищук, Д.М.
Тихоненко-Полищук, Ю.О.
Кравец, А.Ф.
Товстолыткин, А.И.
Джежеря, Ю.И.
Погорелый, А.Н.
Korenivski, V.
Низкотемпеpатуpный магнетизм
title_short Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
title_full Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
title_fullStr Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
title_full_unstemmed Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
title_sort ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием
author Полищук, Д.М.
Тихоненко-Полищук, Ю.О.
Кравец, А.Ф.
Товстолыткин, А.И.
Джежеря, Ю.И.
Погорелый, А.Н.
Korenivski, V.
author_facet Полищук, Д.М.
Тихоненко-Полищук, Ю.О.
Кравец, А.Ф.
Товстолыткин, А.И.
Джежеря, Ю.И.
Погорелый, А.Н.
Korenivski, V.
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
publishDate 2016
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Ferromagnetic resonance in nanostructures with temperature-controlled interlayer interaction
description Выполнен комплексный анализ магнитно-резонансных свойств многослойной структуры F₁/f(d)/F₂pin, где F₁ и F₂pin — свободный и обменно-закрепленный сильномагнитные слои, f — слабомагнитная прослойка с точкой Кюри в окрестности комнатной температуры. В зависимости от магнитного состояния спейсера f (ферромагнитное или парамагнитное) обменное взаимодействие между слоями F₁ и F₂pin становится функцией температуры, что открывает широкие возможности для практических применений. Полученные результаты показывают, что межслойная обменная связь может быть усилена или путем уменьшения толщины спейсера d, или путем понижения температуры. Усиление обменной связи приводит к более сильному проявлению однонаправленной анизотропии в ферромагнитном резонансе слоя F₁, а также к нетипичному для тонких пленок уширению резонансных линий. Обнаруженные особенности анализируются в контексте сравнения двух эффектов различной природы — влияния толщины спейсера d и температуры. Так, характер изменения однонаправленной анизотропии остается одинаковым при варьировании как толщины спейсера, так и температуры. Однако уширение линии магнитного резонанса оказывается более чувствительным к изменению межслойного взаимодействия, вызванному вариацией d, и менее чувствительным к изменениям, вызванным изменением температуры. Виконано комплексний аналіз магнітно-резонансних властивостей багатошарової структури F₁/f(d)/F₂pin, де F₁ і F₂pin — вільний та обмінно-закріплений сильномагнітні шари, f — слабко магнітний прошарок з точкою Кюрі поблизу кімнатної температури. В залежності від магнітного стану спейсера f (феромагнітний чи парамагнітний) обмінна взаємодія між шарами F₁ і F₂pin стає функцією температури, що відкриває широкі можливості для практичних застосувань. Отримані результати показують, що міжшарова обмінна взаємодія може бути підсилена або шляхом зменшення товщини спейсера d, або шляхом зниження температури. Підсилення обмінного зв’язку призводить до сильнішого прояву однонаправленої анізотропії в феромагнітному резонансі шару F₁, а також до нетипового для тонких плівок уширення резонансних ліній. Виявлені особливості аналізуються в контексті порівняння двох ефектів різної природи — впливу товщини спейсера d і температури. Так, характер зміни магнітної анізотропії залишається однаковим при зміні як товщини спейсера, так і температури. Однак уширення лінії магнітного резонансу виявляється більш чутливим до зміни міжшарової взаємодії, спричиненої варіацією d, і менш чутливим до змін, спричинених зміною температури. This study is a comprehensive analysis of a multilayer F₁/f( d)/F₂pin structure's magnetic resonance properties, wherein F₁ and F₂pin are the free and exchange-coupled strong magnetic layers, and f is the weakly magnetic layer with a Curie point in the room temperature region. Depending on the magnetic state of the spacer f (ferromagnetic or paramagnetic) the exchange interaction between the F₂ and F₂pin layers becomes a function of the temperature, which opens up opportunities for practical applications. The obtained results show that the interlayer exchange coupling can be enhanced by decreasing the thickness of the spacer d, or by lowering the temperature. Strengthening the exchange coupling leads to a stronger manifestation of unidirectional anisotropy in the ferromagnetic resonance layer F ₁, as well as to a broadening of the resonance line that is atypical for thin films. The observed features are analyzed in the context of comparing the effects of two different natures: the influence of the spacer d and the influence of the temperature. Thus, the behavior of changes to the unidirectional anisotropy remains the same given variation of both the thickness of the spacer and the temperature. However the broadening of the magnetic resonance line is more sensitive to changes in the interlayer interaction caused by variation of d, and is less susceptible to changes caused by temperature.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129294
citation_txt Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием / Д.М. Полищук, Ю.О. Тихоненко-Полищук, А.Ф. Кравец, А.И. Товстолыткин, Ю.И. Джежеря, А.Н. Погорелый, V. Korenivski // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 972-980. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT poliŝukdm ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT tihonenkopoliŝukûo ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT kravecaf ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT tovstolytkinai ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT džežerâûi ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT pogorelyian ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT korenivskiv ferromagnitnyirezonansvnanostrukturahstemperaturnokontroliruemymmežsloinymvzaimodeistviem
AT poliŝukdm ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
AT tihonenkopoliŝukûo ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
AT kravecaf ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
AT tovstolytkinai ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
AT džežerâûi ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
AT pogorelyian ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
AT korenivskiv ferromagneticresonanceinnanostructureswithtemperaturecontrolledinterlayerinteraction
first_indexed 2025-12-07T17:46:37Z
last_indexed 2025-12-07T17:46:37Z
_version_ 1850872532682407936