«Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота

При in situ измерениях зависимости проводимости от номинальной толщины конденсата в узком интервале толщин осаждаемого на подложку металла обнаружен «дважды экспоненциальный» прирост
 проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя в растущей ультратонкой холодноосажденно...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2016
Main Author: Беляев, Е.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129296
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:«Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота / Е.Ю. Беляев // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 986-993. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862745032359936000
author Беляев, Е.Ю.
author_facet Беляев, Е.Ю.
citation_txt «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота / Е.Ю. Беляев // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 986-993. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description При in situ измерениях зависимости проводимости от номинальной толщины конденсата в узком интервале толщин осаждаемого на подложку металла обнаружен «дважды экспоненциальный» прирост
 проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя в растущей ультратонкой холодноосажденной пленке золота. Дальнейшее поведение проводимости может быть описано законом
 Аррениуса с энергией активации равной кулоновской энергии зарядки растущих металлических кристаллитов, предполагая, что их средний диаметр коррелирует с толщиной конденсируемой металлической пленки. При in situ вимірюваннях залежності провідності від номінальної товщини конденсату у вузькому інтервалі товщин металу, що осаджується на підкладку, виявлено «двічі експоненційний» приріст провідності, зумовлений вибуховою кристалізацією аморфного шару у зростаючій ультратонкій холодноосадженій плівці золота. Подальша поведінка провідності може бути описана законом Арреніуса, в якому
 роль енергії активації грає кулонівська енергія заряджування зростаючих металевих кристалітів, припускаючи, що їх середній діаметр корелює з товщиною конденсованої металевої плівки A “double exponential” growth in conductivity, caused by explosive crystallization of the amorphous layer in growing ultra-thin quench-condensed gold film, is detected during in situ measurements of conductivity as a function of the nominal thickness of the condensate, in a narrow range of thicknesses of the metal precipitated onto a substrate. The subsequent behavior of the conductivity can be described by the Arrhenius law with the activation energy being equal to the Coulomb charging energy of growing metal crystallites, suggesting that their average diameter is correlated with the thickness of the precipitating metal film.
first_indexed 2025-12-07T20:38:23Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129296
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:38:23Z
publishDate 2016
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Беляев, Е.Ю.
2018-01-18T17:40:48Z
2018-01-18T17:40:48Z
2016
«Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота / Е.Ю. Беляев // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 986-993. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.63.Bd, 74.55.+v, 71.30.+h, 72.15.Cz
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129296
При in situ измерениях зависимости проводимости от номинальной толщины конденсата в узком интервале толщин осаждаемого на подложку металла обнаружен «дважды экспоненциальный» прирост
 проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя в растущей ультратонкой холодноосажденной пленке золота. Дальнейшее поведение проводимости может быть описано законом
 Аррениуса с энергией активации равной кулоновской энергии зарядки растущих металлических кристаллитов, предполагая, что их средний диаметр коррелирует с толщиной конденсируемой металлической пленки.
При in situ вимірюваннях залежності провідності від номінальної товщини конденсату у вузькому інтервалі товщин металу, що осаджується на підкладку, виявлено «двічі експоненційний» приріст провідності, зумовлений вибуховою кристалізацією аморфного шару у зростаючій ультратонкій холодноосадженій плівці золота. Подальша поведінка провідності може бути описана законом Арреніуса, в якому
 роль енергії активації грає кулонівська енергія заряджування зростаючих металевих кристалітів, припускаючи, що їх середній діаметр корелює з товщиною конденсованої металевої плівки
A “double exponential” growth in conductivity, caused by explosive crystallization of the amorphous layer in growing ultra-thin quench-condensed gold film, is detected during in situ measurements of conductivity as a function of the nominal thickness of the condensate, in a narrow range of thicknesses of the metal precipitated onto a substrate. The subsequent behavior of the conductivity can be described by the Arrhenius law with the activation energy being equal to the Coulomb charging energy of growing metal crystallites, suggesting that their average diameter is correlated with the thickness of the precipitating metal film.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электронные свойства проводящих систем
«Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
A “double exponential” increase in conductivity due to explosive crystallization of the amorphous layer of ultra-thin quench-condensed gold film
Article
published earlier
spellingShingle «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
Беляев, Е.Ю.
Электронные свойства проводящих систем
title «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
title_alt A “double exponential” increase in conductivity due to explosive crystallization of the amorphous layer of ultra-thin quench-condensed gold film
title_full «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
title_fullStr «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
title_full_unstemmed «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
title_short «Дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
title_sort «дважды экспоненциальный» рост проводимости, обусловленный взрывной кристаллизацией аморфного слоя ультратонкой холодноосажденной пленки золота
topic Электронные свойства проводящих систем
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129296
work_keys_str_mv AT belâeveû dvaždyéksponencialʹnyirostprovodimostiobuslovlennyivzryvnoikristallizacieiamorfnogosloâulʹtratonkoiholodnoosaždennoiplenkizolota
AT belâeveû adoubleexponentialincreaseinconductivityduetoexplosivecrystallizationoftheamorphouslayerofultrathinquenchcondensedgoldfilm