Техника «break-junction» применительно к слоистым сверхпроводникам (Обзор)
Представлено комплексное исследование контактов сверхпроводник–слабая связь–сверхпроводник, получаемых с помощью техники «break-junction» в слоистых сверхпроводниках. В зависимости от прозрачности барьера техника позволяет реализовывать методы туннельной и SnS андреевской спектроскопий для прямого...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129321 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Техника «break-junction» применительно к слоистым сверхпроводникам (Обзор) / С.А. Кузьмичев, Т.Е. Кузьмичева // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 11. — С. 1284-1310. — Бібліогр.: 145 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлено комплексное исследование контактов сверхпроводник–слабая связь–сверхпроводник, получаемых с помощью техники «break-junction» в слоистых сверхпроводниках. В зависимости от прозрачности барьера техника позволяет реализовывать методы туннельной и SnS андреевской спектроскопий для
прямого определения величин сверхпроводящих щелей, характеристических отношений БКШ и температурных зависимостей щелей в купратах, дибориде магния и железосодержащих пниктидах и халькогенидах.
На основе полученных данных можно оценить величину анизотропии щели и константы электронбозонного взаимодействия. Обсуждаются преимущества и трудности техники «break-junction», а также демонстрируются такие сильные стороны методики, как возможность ее использования для исследования оптических фононных мод в высокотемпературных сверхпроводящих купратах и для создания контактов селективной прозрачности в Mg₁₋xAlxB₂. |
|---|