Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической поверхностью раздела квантовая точка–матрица) в наносистеме, содержащей квантовые точки германия, вы...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129342 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия / С.И. Покутний // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 12. — С. 1471-1476. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129342 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Покутний, С.И. 2018-01-18T18:51:05Z 2018-01-18T18:51:05Z 2016 Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия / С.И. Покутний // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 12. — С. 1471-1476. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.–b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129342 Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической поверхностью раздела квантовая точка–матрица) в наносистеме, содержащей квантовые точки германия, выращенные в матрице кремния, по сравнению с энергией связи экситона в монокристалле кремния. Установлено, что в такой наносистеме в зоне проводимости матрицы кремния сначала возникает зона состояний электронно-дырочной пары, которая с ростом радиуса квантовой точки переходит в зону экситонных состояний, расположенную в запрещенной зоне матрицы кремния. Показано, что механизмы поглощения света в наносистеме обусловлены переходами электрона между квантоворазмерными уровнями электроннодырочной пары, а также переходами электрона между квантоворазмерными экситонными уровнями. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв'язку екситона з просторово розділеними електроном і діркою (дірка рухається в об'ємі квантової точки, а електрон локалізований над сферичною поверхнею розділу квантова точка–матриця) в наносистемі, що містить квантові точки германію, вирощені в матриці кремнію, в порівнянні з енергією зв'язку екситона в монокристалі кремнію. Встановлено, що в такій наносистемі в зоні провідності матриці кремнію спочатку виникає зона станів електронно-діркової пари, яка із ростанням радіуса квантової точки переходить в зону екситонних станів, розташовану в забороненій зоні матриці кремнію. Показано, що механізми поглинання світла в наносистемі обумовлені переходами електрона між квантоворозмірними рівнями електронно-діркової пари, а також переходами електрона між квантоворозмірними екситонними рівнями. There is a significant increase in the binding energy between the exciton's space-separated electrons and holes (the hole moves across the volume of the quantum dot, and the electron is localized on a spherical surface of the quantum dot-matrix interface) in a nanosystem containing germanium quantum dots grown in a silicon matrix, in comparison to the binding energy of an exciton in a silicon single crystal. It is established that in such a nanosystem, in the conduction band of the silicon matrix there first exists a band of electron-hole pairs which turns into a band of exciton states located in the band gap of the silicon matrix, as the radius of the quantum dot increases. It is shown that the light absorption mechanisms in such nanosystems are implemented by electron transitions between quantum-levels of the electron-hole pair, as well as electron transitions between the quantum-exciton levels. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия Excitons based on spatially separated electrons and holes in Ge/Si heterostructures with germanium quantum dots Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия |
| spellingShingle |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия Покутний, С.И. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title_short |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия |
| title_full |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия |
| title_fullStr |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия |
| title_full_unstemmed |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия |
| title_sort |
экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре ge/si с квантовыми точками германия |
| author |
Покутний, С.И. |
| author_facet |
Покутний, С.И. |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Excitons based on spatially separated electrons and holes in Ge/Si heterostructures with germanium quantum dots |
| description |
Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона с пространственно разделенными
электроном и дыркой (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической
поверхностью раздела квантовая точка–матрица) в наносистеме, содержащей квантовые точки германия,
выращенные в матрице кремния, по сравнению с энергией связи экситона в монокристалле кремния. Установлено, что в такой наносистеме в зоне проводимости матрицы кремния сначала возникает зона состояний
электронно-дырочной пары, которая с ростом радиуса квантовой точки переходит в зону экситонных состояний, расположенную в запрещенной зоне матрицы кремния. Показано, что механизмы поглощения света в наносистеме обусловлены переходами электрона между квантоворазмерными уровнями электроннодырочной пары, а также переходами электрона между квантоворазмерными экситонными уровнями.
Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв'язку екситона з просторово розділеними електроном і
діркою (дірка рухається в об'ємі квантової точки, а електрон локалізований над сферичною поверхнею
розділу квантова точка–матриця) в наносистемі, що містить квантові точки германію, вирощені в матриці
кремнію, в порівнянні з енергією зв'язку екситона в монокристалі кремнію. Встановлено, що в такій
наносистемі в зоні провідності матриці кремнію спочатку виникає зона станів електронно-діркової пари,
яка із ростанням радіуса квантової точки переходить в зону екситонних станів, розташовану в забороненій
зоні матриці кремнію. Показано, що механізми поглинання світла в наносистемі обумовлені переходами
електрона між квантоворозмірними рівнями електронно-діркової пари, а також переходами електрона між
квантоворозмірними екситонними рівнями.
There is a significant increase in the binding energy between the exciton's space-separated electrons and holes (the hole moves across the volume of the quantum dot, and the electron is localized on a spherical surface of the quantum dot-matrix interface) in a nanosystem containing germanium quantum dots grown in a silicon matrix, in comparison to the binding energy of an exciton in a silicon single crystal. It is established that in such a nanosystem, in the conduction band of the silicon matrix there first exists a band of electron-hole pairs which turns into a band of exciton states located in the band gap of the silicon matrix, as the radius of the quantum dot increases. It is shown that the light absorption mechanisms in such nanosystems are implemented by electron transitions between quantum-levels of the electron-hole pair, as well as electron transitions between the quantum-exciton levels.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129342 |
| citation_txt |
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия / С.И. Покутний // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 12. — С. 1471-1476. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT pokutniisi éksitonycprostranstvennorazdelennymiélektronamiidyrkamivgeterostrukturegesiskvantovymitočkamigermaniâ AT pokutniisi excitonsbasedonspatiallyseparatedelectronsandholesingesiheterostructureswithgermaniumquantumdots |
| first_indexed |
2025-12-07T21:14:02Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:14:02Z |
| _version_ |
1850885582325022720 |