Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования

Представлен обзор работ нашей группы по исследованию высокочастотной проводимости двумерных
 электронных систем с высокой подвижностью в широких квантовых ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результате одновременных измерений коэффициента поглощения и скорости поверхностной акустической
 во...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2017
Автори: Дричко, И.Л., Смирнов, И.Ю., Суслов, А.В., Гальперин, Ю.М., Pfeiffer, L.N., West, K.W.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129357
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования / И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов, Ю.М. Гальперин, L.N. Pfeiffer, K.W. West // Физика низких температур. — 2016. — Т. 43, № 1. — С. 104-114. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862571582344396800
author Дричко, И.Л.
Смирнов, И.Ю.
Суслов, А.В.
Гальперин, Ю.М.
Pfeiffer, L.N.
West, K.W.
author_facet Дричко, И.Л.
Смирнов, И.Ю.
Суслов, А.В.
Гальперин, Ю.М.
Pfeiffer, L.N.
West, K.W.
citation_txt Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования / И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов, Ю.М. Гальперин, L.N. Pfeiffer, K.W. West // Физика низких температур. — 2016. — Т. 43, № 1. — С. 104-114. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Представлен обзор работ нашей группы по исследованию высокочастотной проводимости двумерных
 электронных систем с высокой подвижностью в широких квантовых ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результате одновременных измерений коэффициента поглощения и скорости поверхностной акустической
 волны определены вещественная и мнимая компоненты высокочастотного кондактанса. На основании
 полученных экспериментальных данных и их обработки сделан вывод, что вблизи числа заполнения
 ν = 1/5, а также в интервале 0,18 > ν > 0,125 формируется вигнеровский кристалл, «запиннингованный»
 беспорядком. Определена температура плавления вигнеровского кристалла и длина корреляции доменов,
 образующихся за счет пиннинга. Вблизи целых чисел заполнения ν = 1, 2 уровней Ландау наблюдается
 переход системы от режима одноэлектронной локализации к вигнеровскому кристаллу Представлено огляд робіт нашої групи по дослідженню високочастотної провідності двовимірних
 електронних систем з високою рухливістю в широких квантових ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результаті одночасних вимірювань коефіцієнта поглинання та швидкості поверхневої акустичної хвилі визначені дійсна та уявна компоненти високочастотного кондактанса. На підставі отриманих експериментальних даних та їх обробки зроблено висновок, що поблизу числа заповнення ν = 1/5, а також в інтервалі
 0,18 > ν > 0,125 формується вігнерівський кристал, «запінінгований» безладом. Визначено температуру
 плавлення вігнерівського кристала і довжину кореляції доменів, що утворюються за рахунок пінінга. Поблизу цілих чисел заповнення ν = 1, 2 рівнів Ландау спостерігається перехід системи від режиму одноелектронної локалізації до вігнерівського кристала. We review our work on high-frequency conductance in two-dimensional high-mobility electronic systems in wide n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells. Using simultaneous measurements of the attenuation and velocity of a surface acoustic wave we obtained both real and imaginary components of the complex high-frequency conductance. Based on the experimental results and their analysis we conclude that close to the filling factor ν = 1/5, as well as in the interval 0.18 > ν > 0.125, a Wigner crystal pinned by disorder is formed. Both the melting temperature and the correlation length of the pinning-induced domains in the Wigner crystal were found. In close vicinities of ν = 1 and 2, transitions from single-electron localization to a Wigner crystal were observed.
first_indexed 2025-11-26T04:56:51Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129357
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-11-26T04:56:51Z
publishDate 2017
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Дричко, И.Л.
Смирнов, И.Ю.
Суслов, А.В.
Гальперин, Ю.М.
Pfeiffer, L.N.
West, K.W.
2018-01-19T14:01:11Z
2018-01-19T14:01:11Z
2017
Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования / И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов, Ю.М. Гальперин, L.N. Pfeiffer, K.W. West // Физика низких температур. — 2016. — Т. 43, № 1. — С. 104-114. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.23.–b, 73.50.Rb, 73.43.Qt
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129357
Представлен обзор работ нашей группы по исследованию высокочастотной проводимости двумерных
 электронных систем с высокой подвижностью в широких квантовых ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результате одновременных измерений коэффициента поглощения и скорости поверхностной акустической
 волны определены вещественная и мнимая компоненты высокочастотного кондактанса. На основании
 полученных экспериментальных данных и их обработки сделан вывод, что вблизи числа заполнения
 ν = 1/5, а также в интервале 0,18 > ν > 0,125 формируется вигнеровский кристалл, «запиннингованный»
 беспорядком. Определена температура плавления вигнеровского кристалла и длина корреляции доменов,
 образующихся за счет пиннинга. Вблизи целых чисел заполнения ν = 1, 2 уровней Ландау наблюдается
 переход системы от режима одноэлектронной локализации к вигнеровскому кристаллу
Представлено огляд робіт нашої групи по дослідженню високочастотної провідності двовимірних
 електронних систем з високою рухливістю в широких квантових ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результаті одночасних вимірювань коефіцієнта поглинання та швидкості поверхневої акустичної хвилі визначені дійсна та уявна компоненти високочастотного кондактанса. На підставі отриманих експериментальних даних та їх обробки зроблено висновок, що поблизу числа заповнення ν = 1/5, а також в інтервалі
 0,18 > ν > 0,125 формується вігнерівський кристал, «запінінгований» безладом. Визначено температуру
 плавлення вігнерівського кристала і довжину кореляції доменів, що утворюються за рахунок пінінга. Поблизу цілих чисел заповнення ν = 1, 2 рівнів Ландау спостерігається перехід системи від режиму одноелектронної локалізації до вігнерівського кристала.
We review our work on high-frequency conductance in two-dimensional high-mobility electronic systems in wide n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells. Using simultaneous measurements of the attenuation and velocity of a surface acoustic wave we obtained both real and imaginary components of the complex high-frequency conductance. Based on the experimental results and their analysis we conclude that close to the filling factor ν = 1/5, as well as in the interval 0.18 > ν > 0.125, a Wigner crystal pinned by disorder is formed. Both the melting temperature and the correlation length of the pinning-induced domains in the Wigner crystal were found. In close vicinities of ν = 1 and 2, transitions from single-electron localization to a Wigner crystal were observed.
Работа выполнена при частичной поддержке (И.Л.Д.)
 РФФИ (грант 14-02-00232). Авторы благодарны E. Palm,
 T. Murphy, J.-H. Park и G. Jones за помощь в проведении экспериментов в NHMFL. NHMFL поддерживается NSF Cooperative Agreement DMR-1157490 и штатом
 Флорида. Работа в Принстонском Университете поддерживается Gordon and Betty Moore Foundation посредством the EPiQS initiative Grant GBMF4420 и the National
 Science Foundation MRSEC Grant DMR-1420541.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
К 100-летию со дня рождения И.М. Лифшица
Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
Article
published earlier
spellingShingle Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
Дричко, И.Л.
Смирнов, И.Ю.
Суслов, А.В.
Гальперин, Ю.М.
Pfeiffer, L.N.
West, K.W.
К 100-летию со дня рождения И.М. Лифшица
title Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
title_alt Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
title_full Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
title_fullStr Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
title_full_unstemmed Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
title_short Природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла. Акустические исследования
title_sort природа локализованных состояний в двумерных электронных системах в режиме квантового эффекта холла. акустические исследования
topic К 100-летию со дня рождения И.М. Лифшица
topic_facet К 100-летию со дня рождения И.М. Лифшица
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129357
work_keys_str_mv AT dričkoil prirodalokalizovannyhsostoâniivdvumernyhélektronnyhsistemahvrežimekvantovogoéffektahollaakustičeskieissledovaniâ
AT smirnoviû prirodalokalizovannyhsostoâniivdvumernyhélektronnyhsistemahvrežimekvantovogoéffektahollaakustičeskieissledovaniâ
AT suslovav prirodalokalizovannyhsostoâniivdvumernyhélektronnyhsistemahvrežimekvantovogoéffektahollaakustičeskieissledovaniâ
AT galʹperinûm prirodalokalizovannyhsostoâniivdvumernyhélektronnyhsistemahvrežimekvantovogoéffektahollaakustičeskieissledovaniâ
AT pfeifferln prirodalokalizovannyhsostoâniivdvumernyhélektronnyhsistemahvrežimekvantovogoéffektahollaakustičeskieissledovaniâ
AT westkw prirodalokalizovannyhsostoâniivdvumernyhélektronnyhsistemahvrežimekvantovogoéffektahollaakustičeskieissledovaniâ
AT dričkoil natureoflocalizedstatesintwodimensionalelectronsystemsinthequantumhallregimeacousticstudies
AT smirnoviû natureoflocalizedstatesintwodimensionalelectronsystemsinthequantumhallregimeacousticstudies
AT suslovav natureoflocalizedstatesintwodimensionalelectronsystemsinthequantumhallregimeacousticstudies
AT galʹperinûm natureoflocalizedstatesintwodimensionalelectronsystemsinthequantumhallregimeacousticstudies
AT pfeifferln natureoflocalizedstatesintwodimensionalelectronsystemsinthequantumhallregimeacousticstudies
AT westkw natureoflocalizedstatesintwodimensionalelectronsystemsinthequantumhallregimeacousticstudies