High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches
The negative- U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The aforesaid promotes also the creation of composite b...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129360 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches / N.T. Bagraev, V.Yu. Grigoryev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov, N.I. Rul’ // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 1. — С. 132-142. — Бібліогр.: 40 назв. — англ. |