Buchumschlag

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

We have measured the temperature (2.9 K < T < 50 K) and magnetic field (0 T < B < 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20.3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2017
Hauptverfasser:	Gudina, S.V., Neverov, V.N., Novik, E.G., Ilchenko, E.V., Harus, G.I., Shelushinina, N.G., Podgornykh, S.M., Yakunin, M.V., Mikhailov, N.N., Dvoretsky, S.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Schlagworte:	XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129428
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina, V.N. Neverov, E.G. Novik, E.V. Ilchenko, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, M.V. Yakunin , N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 605-611. — Бібліогр.: 34 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
von: Shelushinina, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Configuration interaction in delta-doped heterostructures
von: Rozhansky, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
von: Kagalovsky, V.
Veröffentlicht: (2013)

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
von: Charikova, T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
von: Гантмахер, В.Ф.
Veröffentlicht: (2013)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2017)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
von: Кикоин, К.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
von: Парфеньев, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Doped nanoparticles for optoelectronics applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
von: Демиховский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
von: Ляпилин, И.И.
Veröffentlicht: (2009)

XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2011)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
von: Петров, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)