Зображення обкладинки

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

We have measured the temperature (2.9 K < T < 50 K) and magnetic field (0 T < B < 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20.3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2017
Автори:	Gudina, S.V., Neverov, V.N., Novik, E.G., Ilchenko, E.V., Harus, G.I., Shelushinina, N.G., Podgornykh, S.M., Yakunin, M.V., Mikhailov, N.N., Dvoretsky, S.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Теми:	XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129428
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina, V.N. Neverov, E.G. Novik, E.V. Ilchenko, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, M.V. Yakunin , N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 605-611. — Бібліогр.: 34 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2015)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: &quot;extremum loop” model and effects of cubic symmetry
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)

Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2018)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)

The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)

Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructure in the in-plane magnetic field
за авторством: A. S. Bogoljubskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum capacitance of three-dimensional topological insulator based on a HgTe
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2017)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)