Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
We have measured the temperature (2.9 K < T < 50 K) and magnetic field (0 T < B < 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20.3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129428 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina, V.N. Neverov, E.G. Novik, E.V. Ilchenko, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, M.V. Yakunin , N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 605-611. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2015)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)
Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)
Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)
Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Doped nanoparticles for optoelectronics applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2009)
Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2009)
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2015)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)
Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)