Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и
 двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано,&am...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129429 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862531513047842816 |
|---|---|
| author | Савельев, А.П. Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| author_facet | Савельев, А.П. Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| citation_txt | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и
двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано,
что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|B – BC|T–κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения.
Експериментально досліджено подовжній ρxx(B, T) та холлівський ρxy(B, T) опори у магнітном полі
B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs з поодинокими і подвійними сильно пов’язаними квантовими ямами з різною шириною бар’єру між ямами. Показано, що при
ωcτ ≅ 1 існує критичне значення магнітного поля, поблизу якого виконується скейлінгове співвідношення
ρxx ∝|B – BC|T –κ
, що свідчить про спостереження фазового переходу з діелектричного стану у фазу квантового ефекту Холла. Виявлено, що значення критичного індексу κ залежить від ширини бар’єру між
подвійними квантовими ямами. Обговорюється природа такої поведінки.
The longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistances in magnetic fields B up to 12 T at temperatures T = 1.8–80 K are studied experimentally in n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs nanostructures with single and double strongly-coupled quantum wells separated by different barrier widths. It is shown that for ω c τ ≅ 1 there is a critical magnetic field near which the scaling relation ρxx≅|B−BC|T−κ , which is indicative of a phase transition from a dielectric state to a quantum hall state, is satisfied. It is found that the critical index κ depends on the width of the barrier between the double quantum wells. The nature of this behavior is discussed.
|
| first_indexed | 2025-11-24T04:28:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129429 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T04:28:40Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Савельев, А.П. Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. 2018-01-19T16:42:50Z 2018-01-19T16:42:50Z 2017 Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129429 Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и
 двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано,
 что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|B – BC|T–κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B, T) та холлівський ρxy(B, T) опори у магнітном полі
 B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs з поодинокими і подвійними сильно пов’язаними квантовими ямами з різною шириною бар’єру між ямами. Показано, що при
 ωcτ ≅ 1 існує критичне значення магнітного поля, поблизу якого виконується скейлінгове співвідношення
 ρxx ∝|B – BC|T –κ
 , що свідчить про спостереження фазового переходу з діелектричного стану у фазу квантового ефекту Холла. Виявлено, що значення критичного індексу κ залежить від ширини бар’єру між
 подвійними квантовими ямами. Обговорюється природа такої поведінки. The longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistances in magnetic fields B up to 12 T at temperatures T = 1.8–80 K are studied experimentally in n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs nanostructures with single and double strongly-coupled quantum wells separated by different barrier widths. It is shown that for ω c τ ≅ 1 there is a critical magnetic field near which the scaling relation ρxx≅|B−BC|T−κ , which is indicative of a phase transition from a dielectric state to a quantum hall state, is satisfied. It is found that the critical index κ depends on the width of the barrier between the double quantum wells. The nature of this behavior is discussed. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема «Электрон», № 01201463326),
 РФФИ: гранты №17-02-00330 и №16-32-00725, при
 частичной поддержке комплексной программы УрО
 РАН №15-9-2-21. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures Article published earlier |
| spellingShingle | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs Савельев, А.П. Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs |
| title_alt | Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures |
| title_full | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs |
| title_fullStr | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs |
| title_full_unstemmed | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs |
| title_short | Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs |
| title_sort | фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта холла в гетероструктурах n-ingaas/gaas |
| topic | XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129429 |
| work_keys_str_mv | AT savelʹevap fazovyiperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas AT gudinasv fazovyiperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas AT arapovûg fazovyiperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas AT neverovvn fazovyiperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas AT podgornyhsm fazovyiperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas AT âkuninmv fazovyiperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas AT savelʹevap insulatorquantumhalltransitioninningaasgaasheterostructures AT gudinasv insulatorquantumhalltransitioninningaasgaasheterostructures AT arapovûg insulatorquantumhalltransitioninningaasgaasheterostructures AT neverovvn insulatorquantumhalltransitioninningaasgaasheterostructures AT podgornyhsm insulatorquantumhalltransitioninningaasgaasheterostructures AT âkuninmv insulatorquantumhalltransitioninningaasgaasheterostructures |