Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Савельев, А.П., Гудина, С.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Schlagworte: XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129429
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ω...