Зображення обкладинки

Релаксация спина марганца в ферромагнитном (Ga,Mn)As

В работе предложена теория спиновой релаксации 3d⁵-электронов марганца в (Ga,Mn)As, включая ферромагнитную и парамагнитную фазы. В арсениде галлия, легированном марганцем, дырки проявляют себя двояко: как переносчики магнитного взаимодействия между центрами марганцев и как канал дл...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2017
Автори:	Крайнов, И.В., Аверкиев, Н.С., Lähderanta, E.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Теми:	XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129435
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Релаксация спина марганца в ферромагнитном (Ga,Mn)As / И.В. Крайнов, Н.С. Аверкиев, E. Lähderanta // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 560-565. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg₁₋cO
за авторством: Чурманов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2017)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)

Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2017)

Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов
за авторством: Михеев, В.М.
Опубліковано: (2017)

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
за авторством: Клепикова, А.С., та інші
Опубліковано: (2017)

Dynamic spin-current generation in hybrid structures by sound wave
за авторством: Okorokov, M.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
за авторством: Аверкиев, Н.С., та інші
Опубліковано: (2011)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Электроны вблизи края графена
за авторством: Волков, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)

Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)

Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
за авторством: Германенко, А.В.
Опубліковано: (2009)

О некоторых экспериментальных методах и трюках
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2011)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)