Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Кульбачинский, В.А., Кытин, В.Г., Кудряшов, А.А., Лунин, Р.А., Banerjee, A.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Schlagworte: XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129442
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе / В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.А. Кудряшов, Р.А. Лунин, A. Banerjee // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 566-580. — Бібліогр.: 62 назв. — рос.

Представлены результаты исследования эффекта Шубникова–де Гааза и термоэлектрических свойств монокристаллов p-(Bi₀.₅Sb₀.₅)₂Te₃, легированных Ga, n-Bi₂–xTlxSe₃ и p-Sb₂–xTlxTe₃. По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании. Установлено, что Ga д...