Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
Исследованы фазовый и элементный составы и магнитные свойства (B ≤ 7,5 Тл, 2,0 К ≤ T ≤ 70 К) сплавов Pb₁₋yFeyTe при вариации концентрации примеси вдоль монокристаллического слитка, синтезированного методом Бриджмена. Определены распределение примеси железа по длине слитка в основной фазе и соста...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Скипетров, Е.П., Соловьев, А.А., Кнотько, А.В., Слынько, В.Е. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129452 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe / Е.П. Скипетров, А.А. Соловьев, А.В. Кнотько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 581-592. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)