Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы
 n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур 0,05–4,2 К. Изучены особенности критического поведения продольного и х...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129453 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 596-604. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862745969291952128 |
|---|---|
| author | Клепикова, А.С. Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Звонков, Б.Н. |
| author_facet | Клепикова, А.С. Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Звонков, Б.Н. |
| citation_txt | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 596-604. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы
n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур 0,05–4,2 К. Изучены особенности критического поведения продольного и холловского сопротивления в области переходов плато–плато КЭХ для выявления
условий экспериментального наблюдения режима скейлинга. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.
Проведено дослідження цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) для гетеросистеми n-InGaAs/GaAs
з одиночною і подвійною квантовими ямами до і після ІЧ підсвічування в широкому діапазоні магнітних
полів 0–16 Tл і температур 0,05–4,2 К. Вивчено особливості критичної поведінки поздовжнього і холлівського опору в області переходів плато–плато КЕХ для виявлення умов експериментального спостереження
режиму скейлінгу. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів на основі уявлень теорії
двопараметричного скейлінгу.
The longitudinal and Hall resistivity in the quantum Hall effect (QHE) regime for n-InGaAs/GaAs nanostructures with a single and double quantum wells was studied at B = (0–16) T and T = (0.05–4.2) K, before and after IR-illumination. The features of the critical behavior of the longitudinal and Hall conductance in the QHE plateau-to-plateau transition regions were studied to identify the conditions of experimental observation of the scaling regime. The temperature dependences of the width of QHE plateau-to-plateau transitions were analyzed based on the two-parameter scaling theory.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:42:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129453 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:42:56Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Клепикова, А.С. Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Звонков, Б.Н. 2018-01-19T16:59:20Z 2018-01-19T16:59:20Z 2017 Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 596-604. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129453 Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы
 n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур 0,05–4,2 К. Изучены особенности критического поведения продольного и холловского сопротивления в области переходов плато–плато КЭХ для выявления
 условий экспериментального наблюдения режима скейлинга. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга. Проведено дослідження цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) для гетеросистеми n-InGaAs/GaAs
 з одиночною і подвійною квантовими ямами до і після ІЧ підсвічування в широкому діапазоні магнітних
 полів 0–16 Tл і температур 0,05–4,2 К. Вивчено особливості критичної поведінки поздовжнього і холлівського опору в області переходів плато–плато КЕХ для виявлення умов експериментального спостереження
 режиму скейлінгу. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів на основі уявлень теорії
 двопараметричного скейлінгу. The longitudinal and Hall resistivity in the quantum Hall effect (QHE) regime for n-InGaAs/GaAs nanostructures with a single and double quantum wells was studied at B = (0–16) T and T = (0.05–4.2) K, before and after IR-illumination. The features of the critical behavior of the longitudinal and Hall conductance in the QHE plateau-to-plateau transition regions were studied to identify the conditions of experimental observation of the scaling regime. The temperature dependences of the width of QHE plateau-to-plateau transitions were analyzed based on the two-parameter scaling theory. Работа выполнена в рамках государственного задания по теме «Электрон» №01201463326, при частичной
 поддержке РФФИ, грант 16-32-00725 и программы
 УрО РАН (проект 15-9-2-21). Грант минобрнауки РФ
 N14.Z50.31.0025. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures Article published earlier |
| spellingShingle | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия Клепикова, А.С. Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Звонков, Б.Н. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия |
| title_alt | Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures |
| title_full | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия |
| title_fullStr | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия |
| title_full_unstemmed | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия |
| title_short | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия |
| title_sort | условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия |
| topic | XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129453 |
| work_keys_str_mv | AT klepikovaas usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT arapovûg usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT gudinasv usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT neverovvn usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT harusgi usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT šelušininang usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT âkuninmv usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT zvonkovbn usloviâéksperimentalʹnogonablûdeniâkritičeskogopovedeniâprodolʹnogoihollovskogosoprotivleniâvrežimekvantovogoéffektahollavgeterostrukturahnaosnovearsenidagalliâiindiâ AT klepikovaas conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT arapovûg conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT gudinasv conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT neverovvn conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT harusgi conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT šelušininang conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT âkuninmv conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures AT zvonkovbn conditionsforexperimentalobservationofthecriticalbehaviorofthelongitudinalandhallresistanceinthequantumhallregimeingalliumandindiumarsenidebasedheterostructures |