Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы
 n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур 0,05–4,2 К. Изучены особенности критического поведения продольного и х...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Клепикова, А.С., Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Звонков, Б.Н. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129453 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 596-604. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Характеристики электрореактивного двигателя холловского типа коррекции орбиты микроспутников
von: Кулагин, С.Н.
Veröffentlicht: (2014)
von: Кулагин, С.Н.
Veröffentlicht: (2014)
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
von: Гудина, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Гудина, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Оптические константы бромида индия
von: Колинько, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Колинько, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Моделирование продольного движения подводных суперкавитирующих аппаратов
von: Семененко, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)
von: Семененко, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Структура критического текста: диалог позиций
von: Раковская, Н.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Раковская, Н.М.
Veröffentlicht: (2006)
Скейлинг критического тока гранулярных ВТСП
von: Боголюбов, Н.А.
Veröffentlicht: (1997)
von: Боголюбов, Н.А.
Veröffentlicht: (1997)
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)
Изучение кислотности приэлектродных слоев при электроосаждении индия
von: Козин, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1983)
von: Козин, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1983)
Влияние высокого гидростатического давления на кинетические свойства индия
von: Орлов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Орлов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Синтез и спектры комбинациопного рассеяния моногалогснидов индия
von: Волков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (1983)
von: Волков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (1983)
Радиальная структура продольного комбинированного разряда в SF6
von: Лисовский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Лисовский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Намагниченность мелкозернистого YBaCuO вблизи первого критического поля
von: Красильников, А.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)
von: Красильников, А.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)
Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ähnliche Einträge
-
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000) -
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)