Зображення обкладинки

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия

Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур 0,05–4,2 К. Изучены особенности критического поведения продольного и х...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Физика низких температур
Дата:	2017
ISSN:	0132-6414
Автори:	Клепикова, А.С., Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Звонков, Б.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Теми:	XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129453
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 596-604. — Бібліогр.: 32 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)

Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
за авторством: Мазуренко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
за авторством: Гаджиалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2003)

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Kovaliuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2019)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Характеристики электрореактивного двигателя холловского типа коррекции орбиты микроспутников
за авторством: Кулагин, С.Н.
Опубліковано: (2014)

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2017)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Гудина, С.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптические константы бромида индия
за авторством: Колинько, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Моделирование продольного движения подводных суперкавитирующих аппаратов
за авторством: Семененко, В.Н.
Опубліковано: (2010)

Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Структура критического текста: диалог позиций
за авторством: Раковская, Н.М.
Опубліковано: (2006)

Скейлинг критического тока гранулярных ВТСП
за авторством: Боголюбов, Н.А.
Опубліковано: (1997)

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2010)

Изучение кислотности приэлектродных слоев при электроосаждении индия
за авторством: Козин, В.Ф., та інші
Опубліковано: (1983)

Влияние высокого гидростатического давления на кинетические свойства индия
за авторством: Орлов, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Синтез и спектры комбинациопного рассеяния моногалогснидов индия
за авторством: Волков, С.В., та інші
Опубліковано: (1983)

Радиальная структура продольного комбинированного разряда в SF6
за авторством: Лисовский, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)