Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка

Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка

Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2017
Автори: Лашкарев, Г.В., Карпина, В.А., Овсянникова, Л.И., Картузов, В.В., Дранчук, Н.В., Годлевский, М., Петрушка, Р., Хомяк, В.B., Петросян, Л.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Теми:
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129457
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка / Г.В. Лашкарев, В.А. Карпина, Л.И. Овсянникова, В.В. Картузов, Н.В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В.B. Хомяк, Л.И. Петросян // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 643-648. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129457
record_format dspace
spelling Лашкарев, Г.В.
Карпина, В.А.
Овсянникова, Л.И.
Картузов, В.В.
Дранчук, Н.В.
Годлевский, М.
Петрушка, Р.
Хомяк, В.B.
Петросян, Л.И.
2018-01-19T17:13:15Z
2018-01-19T17:13:15Z
2017
Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка / Г.В. Лашкарев, В.А. Карпина, Л.И. Овсянникова, В.В. Картузов, Н.В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В.B. Хомяк, Л.И. Петросян // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 643-648. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 64.60.My, 05.70.Ln, 61.72.Bb, 61.72.Mm
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129457
Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77–300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1–7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.
Розглянуто властивості прозорих провідних матеріалів на основі широкозонного напівпровідника оксиду цинку, перспективного для застосування у фотовольтаїці та рідкокристалічних дисплеях. Вивчено вплив алюмінію на провідність тонких плівок ZnO, які осаджені методом атомно-шарового росту. Проведено температурні дослідження концентрації, рухливості і питомого електроопору у діапазоні температур 77–300 К, які свідчать про металеву провідність сильно легованих плівок. Електроактивність алюмінію як донорної домішки в гратці ZnO вивчено для тонких плівок, вирощених методом атомного пошарового осадження на скло та кремній, які містять 1–7 ат.% алюмінію. Обговорено причини низької електроактивності Al в ZnO і запропоновано шляхи її підвищення.
The properties of transparent conductive materials based on wide-gap zinc oxide semiconductors are considered, which are promising in their application to photovoltaics and liquid crystal displays. The impact of aluminum doping on the conductivity of thin ZnO films is examined. Temperature studies of the concentration, mobility, and resistivity in the temperature range of 77–300 K are conducted, revealing the metal conductivity of highly doped films. The electroactivity of aluminum as a donor impurity in the ZnO lattice is studied for thin films grown using atomic layer deposition on glass and silicone, containing 1–7 at. % aluminum. The reasons behind the low electroactivity of Al in ZnO are discussed, as are the methods for its enhancement.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
The physics of high-conductivity transparent materials based on wide-band zinc oxide
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
spellingShingle Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
Лашкарев, Г.В.
Карпина, В.А.
Овсянникова, Л.И.
Картузов, В.В.
Дранчук, Н.В.
Годлевский, М.
Петрушка, Р.
Хомяк, В.B.
Петросян, Л.И.
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
title_short Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
title_full Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
title_fullStr Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
title_full_unstemmed Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
title_sort физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
author Лашкарев, Г.В.
Карпина, В.А.
Овсянникова, Л.И.
Картузов, В.В.
Дранчук, Н.В.
Годлевский, М.
Петрушка, Р.
Хомяк, В.B.
Петросян, Л.И.
author_facet Лашкарев, Г.В.
Карпина, В.А.
Овсянникова, Л.И.
Картузов, В.В.
Дранчук, Н.В.
Годлевский, М.
Петрушка, Р.
Хомяк, В.B.
Петросян, Л.И.
topic XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
topic_facet XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
publishDate 2017
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The physics of high-conductivity transparent materials based on wide-band zinc oxide
description Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77–300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1–7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения. Розглянуто властивості прозорих провідних матеріалів на основі широкозонного напівпровідника оксиду цинку, перспективного для застосування у фотовольтаїці та рідкокристалічних дисплеях. Вивчено вплив алюмінію на провідність тонких плівок ZnO, які осаджені методом атомно-шарового росту. Проведено температурні дослідження концентрації, рухливості і питомого електроопору у діапазоні температур 77–300 К, які свідчать про металеву провідність сильно легованих плівок. Електроактивність алюмінію як донорної домішки в гратці ZnO вивчено для тонких плівок, вирощених методом атомного пошарового осадження на скло та кремній, які містять 1–7 ат.% алюмінію. Обговорено причини низької електроактивності Al в ZnO і запропоновано шляхи її підвищення. The properties of transparent conductive materials based on wide-gap zinc oxide semiconductors are considered, which are promising in their application to photovoltaics and liquid crystal displays. The impact of aluminum doping on the conductivity of thin ZnO films is examined. Temperature studies of the concentration, mobility, and resistivity in the temperature range of 77–300 K are conducted, revealing the metal conductivity of highly doped films. The electroactivity of aluminum as a donor impurity in the ZnO lattice is studied for thin films grown using atomic layer deposition on glass and silicone, containing 1–7 at. % aluminum. The reasons behind the low electroactivity of Al in ZnO are discussed, as are the methods for its enhancement.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129457
citation_txt Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка / Г.В. Лашкарев, В.А. Карпина, Л.И. Овсянникова, В.В. Картузов, Н.В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В.B. Хомяк, Л.И. Петросян // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 643-648. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT laškarevgv fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT karpinava fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT ovsânnikovali fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT kartuzovvv fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT drančuknv fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT godlevskiim fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT petruškar fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT homâkvb fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT petrosânli fizikavysokoprovodâŝihprozračnyhmaterialovnaosnoveširokozonnogooksidacinka
AT laškarevgv thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT karpinava thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT ovsânnikovali thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT kartuzovvv thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT drančuknv thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT godlevskiim thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT petruškar thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT homâkvb thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
AT petrosânli thephysicsofhighconductivitytransparentmaterialsbasedonwidebandzincoxide
first_indexed 2025-12-07T20:38:47Z
last_indexed 2025-12-07T20:38:47Z
_version_ 1850883364528062464

Схожі ресурси