Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2017
• Автори: Шатерник, В.Е., Шаповалов, А.П., Суворов, А.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Теми: Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129529
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 7. — С. 1094-1100. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких...