Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров

Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2001
Main Authors: Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862735594700931072
author Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
author_facet Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
citation_txt Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости. The influence of superconducting inclusions on the electrophysical properties of a semiconductor or insulator crystal is investigated. The critical magnetic field of an isolated spherical inclusion is calculated under the assumption that the radius of the inclusion is smaller than or of the order of the coherence length. The conductivity of a crystal containing a set of inclusions is calculated as a function of temperature and magnetic field. It is assumed in the conductivity calculations that the concentration of inclusions is insufficient for the appearance of superconductivity in the whole sample (i.e., it is below the percolation threshold). It is shown that the presence of superconducting inclusions leads to a sharp increase in the conductivity of the sample at low temperatures and to a strong dependence of the conductivity on magnetic field (magnetoresistance). The magnetoresistance is due to suppression of the superconductivity in the inclusions as the magnetic field is increased. The influence of a variance in the dimensions of the inclusions on the temperature and magnetic-field dependence of the conductivity is investigated.
first_indexed 2025-12-07T19:49:37Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129846
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:49:37Z
publishDate 2001
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
2018-01-30T20:42:11Z
2018-01-30T20:42:11Z
2001
Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 74.20.De, 74.25.Fy, 74.80.-g, 74.80.Bj
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости.
The influence of superconducting inclusions on the electrophysical properties of a semiconductor or insulator crystal is investigated. The critical magnetic field of an isolated spherical inclusion is calculated under the assumption that the radius of the inclusion is smaller than or of the order of the coherence length. The conductivity of a crystal containing a set of inclusions is calculated as a function of temperature and magnetic field. It is assumed in the conductivity calculations that the concentration of inclusions is insufficient for the appearance of superconductivity in the whole sample (i.e., it is below the percolation threshold). It is shown that the presence of superconducting inclusions leads to a sharp increase in the conductivity of the sample at low temperatures and to a strong dependence of the conductivity on magnetic field (magnetoresistance). The magnetoresistance is due to suppression of the superconductivity in the inclusions as the magnetic field is increased. The influence of a variance in the dimensions of the inclusions on the temperature and magnetic-field dependence of the conductivity is investigated.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
Electrophysical properties of crystals containing small superconducting inclusions
Article
published earlier
spellingShingle Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
title Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_alt Electrophysical properties of crystals containing small superconducting inclusions
title_full Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_fullStr Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_full_unstemmed Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_short Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_sort электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
work_keys_str_mv AT sugakovvi élektrofizičeskiesvoistvakristallovsoderžaŝihsverhprovodâŝievklûčeniâmalyhrazmerov
AT ševcovaon élektrofizičeskiesvoistvakristallovsoderžaŝihsverhprovodâŝievklûčeniâmalyhrazmerov
AT sugakovvi electrophysicalpropertiesofcrystalscontainingsmallsuperconductinginclusions
AT ševcovaon electrophysicalpropertiesofcrystalscontainingsmallsuperconductinginclusions