Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров

Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2001
Автори: Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129846
record_format dspace
spelling Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
2018-01-30T20:42:11Z
2018-01-30T20:42:11Z
2001
Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 74.20.De, 74.25.Fy, 74.80.-g, 74.80.Bj
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости.
The influence of superconducting inclusions on the electrophysical properties of a semiconductor or insulator crystal is investigated. The critical magnetic field of an isolated spherical inclusion is calculated under the assumption that the radius of the inclusion is smaller than or of the order of the coherence length. The conductivity of a crystal containing a set of inclusions is calculated as a function of temperature and magnetic field. It is assumed in the conductivity calculations that the concentration of inclusions is insufficient for the appearance of superconductivity in the whole sample (i.e., it is below the percolation threshold). It is shown that the presence of superconducting inclusions leads to a sharp increase in the conductivity of the sample at low temperatures and to a strong dependence of the conductivity on magnetic field (magnetoresistance). The magnetoresistance is due to suppression of the superconductivity in the inclusions as the magnetic field is increased. The influence of a variance in the dimensions of the inclusions on the temperature and magnetic-field dependence of the conductivity is investigated.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
Electrophysical properties of crystals containing small superconducting inclusions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
spellingShingle Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
title_short Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_full Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_fullStr Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_full_unstemmed Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_sort электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
author Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
author_facet Сугаков, В.И.
Шевцова, О.Н.
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
publishDate 2001
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Electrophysical properties of crystals containing small superconducting inclusions
description Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости. The influence of superconducting inclusions on the electrophysical properties of a semiconductor or insulator crystal is investigated. The critical magnetic field of an isolated spherical inclusion is calculated under the assumption that the radius of the inclusion is smaller than or of the order of the coherence length. The conductivity of a crystal containing a set of inclusions is calculated as a function of temperature and magnetic field. It is assumed in the conductivity calculations that the concentration of inclusions is insufficient for the appearance of superconductivity in the whole sample (i.e., it is below the percolation threshold). It is shown that the presence of superconducting inclusions leads to a sharp increase in the conductivity of the sample at low temperatures and to a strong dependence of the conductivity on magnetic field (magnetoresistance). The magnetoresistance is due to suppression of the superconductivity in the inclusions as the magnetic field is increased. The influence of a variance in the dimensions of the inclusions on the temperature and magnetic-field dependence of the conductivity is investigated.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
citation_txt Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sugakovvi élektrofizičeskiesvoistvakristallovsoderžaŝihsverhprovodâŝievklûčeniâmalyhrazmerov
AT ševcovaon élektrofizičeskiesvoistvakristallovsoderžaŝihsverhprovodâŝievklûčeniâmalyhrazmerov
AT sugakovvi electrophysicalpropertiesofcrystalscontainingsmallsuperconductinginclusions
AT ševcovaon electrophysicalpropertiesofcrystalscontainingsmallsuperconductinginclusions
first_indexed 2025-12-07T19:49:37Z
last_indexed 2025-12-07T19:49:37Z
_version_ 1850880271853813760