Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129846
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения...