Вплив підшарів германію на формування плівок хрому

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Бігун, Р.І., Бучковська, М.Д., Гаврилюх, В.М., Стасюк, З.В., Леонов, Д.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129935
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив підшарів германію на формування плівок хрому / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, В.М. Гаврилюх, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 2. — С. 285-292. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

В умовах надвисокого вакууму при тиску залишкових газів, не вищому за 10⁻⁷ Па, досліджено структуру плівок хрому, сформованих на поверхні скла, та поверхні ультратонких підшарів германію, попередньо нанесених на поверхню скла. Показано, що зміною товщини підшарів германію в межах 0–4 нм можна керувати лінійними розмірами кристалітів у плівці металу і тим самим змінювати ступінь заповнення поверхні підложжя атомами Хрому в шарах металу масовою товщиною 1–2 нм. В условиях сверхвысокого вакуума при давлении остаточных газов, не превышающем 10⁻⁷ Па, исследована структура плёнок хрома, сформированных на поверхности стекла, и поверхности ультратонких подслоёв германия, предварительно нанесённых на поверхность стекла. Показано, что изменением толщины подслоя германия в пределах 0–4 нм можно управлять размерами кристаллитов в плёнках металла и таким образом изменять степень заполнения поверхности подложки атомами хрома в слоях металла массовой толщиной 1–2 нм. Under high-vacuum condition at residual gases pressure less than 10⁻⁷ Pa, the structure of both chromium films deposited on the bare glass surface and glass surface predeposited with ultra-thin germanium underlayers are investigated. As shown, by means of the germanium sublayers within the 0–4 nm thickness range, it is possible to control crystallites’ linear sizes and change the degree of substrate-surface filling with atoms of chromium in the film layers in the range of mass thickness of 1–2 nm.