Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту
Проведено дослідження кристалічної структури, морфології, електропровідности та магнеторезистивних властивостей надтонких плівок кобальту з ефективними товщинами в інтервалі d = 3–30 нм. Показано, що всі одержані зразки мають острівцеву структуру з розмірами окремих острівців у 3–5 нм для свіжосконд...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129936 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту / Ю.О. Шкурдода, А.М. Чорноус, В.О. Кравченко, В.Б. Лобода // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 2. — С. 293-307. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862544642631794688 |
|---|---|
| author | Шкурдода, Ю.О. Чорноус, А.М. Кравченко, В.О. Лобода, В.Б. |
| author_facet | Шкурдода, Ю.О. Чорноус, А.М. Кравченко, В.О. Лобода, В.Б. |
| citation_txt | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту / Ю.О. Шкурдода, А.М. Чорноус, В.О. Кравченко, В.Б. Лобода // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 2. — С. 293-307. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Проведено дослідження кристалічної структури, морфології, електропровідности та магнеторезистивних властивостей надтонких плівок кобальту з ефективними товщинами в інтервалі d = 3–30 нм. Показано, що всі одержані зразки мають острівцеву структуру з розмірами окремих острівців у 3–5 нм для свіжосконденсованих плівок і до 30 нм для відпалених за температури 700 К. Електропровідність і магнетоопір плівок визначаються їх товщиною та морфологією. Для плівок з d = 3–10 нм електропровідність є термічно активованою, і реалізується тунельний магнетоопір. Відпалювання плівок з d = 20–30 нм приводить до появи анізотропії магнетоопору. Максимальне значення тунельного магнетоопору складає 0,5% для свіжосконденсованих плівок при перпендикулярній геометрії.
Проведены исследования кристаллической структуры, морфологии, электропроводности и магниторезистивных свойств сверхтонких плёнок Co с эффективными толщинами в интервале d = 3–30 нм. Показано, что все полученные образцы имеют островковую структуру с размерами отдельных островков 3–5 нм для свежесконденсированных плёнок и до 30 нм для отожжённых при температуре 700 К. Электропроводность и магнитосопротивление плёнок определяются их толщиной и морфологией. Для плёнок с d = 3–10 нм электропроводность является термически активированной, и реализуется туннельное магнитосопротивление. Отжиг плёнок с d = 20–30 нм приводит к появлению анизотропии магнитосопротивления. Максимальное значение туннельного магнитосопротивления составляет 0,5% для свежесконденсированных плёнок при перпендикулярной геометрии.
Dependences of crystal structure, morphology, electrical and magnetoresistive properties of ultrathin films of Co on effective thickness in the range of d = 3–30 nm are studied. As shown, all obtained samples have island structure with the sizes of individual islands of 3–5 nm for condensed films and of 30 nm for annealed ones at a temperature of 700 K. Conductivity and magnetoresistance of films are determined by their thickness and morphology. For films with d = 3–10 nm, conductivity is thermally activated, and tunnelling magnetoresistance is realized. Annealing of films with d = 20–30 nm leads to anisotropy magnetoresistance. The maximum value of the tunnelling magnetoresistance of 0.5% for condensed films with perpendicular geometry.
|
| first_indexed | 2025-11-25T01:27:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129936 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T01:27:58Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шкурдода, Ю.О. Чорноус, А.М. Кравченко, В.О. Лобода, В.Б. 2018-02-02T11:14:20Z 2018-02-02T11:14:20Z 2016 Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту / Ю.О. Шкурдода, А.М. Чорноус, В.О. Кравченко, В.Б. Лобода // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 2. — С. 293-307. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. 1816-5230 PACS: 68.55.J-, 73.25.+i, 73.50.Jt, 73.61.At, 73.63.Bd, 75.47.Np, 81.40.Rs https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129936 Проведено дослідження кристалічної структури, морфології, електропровідности та магнеторезистивних властивостей надтонких плівок кобальту з ефективними товщинами в інтервалі d = 3–30 нм. Показано, що всі одержані зразки мають острівцеву структуру з розмірами окремих острівців у 3–5 нм для свіжосконденсованих плівок і до 30 нм для відпалених за температури 700 К. Електропровідність і магнетоопір плівок визначаються їх товщиною та морфологією. Для плівок з d = 3–10 нм електропровідність є термічно активованою, і реалізується тунельний магнетоопір. Відпалювання плівок з d = 20–30 нм приводить до появи анізотропії магнетоопору. Максимальне значення тунельного магнетоопору складає 0,5% для свіжосконденсованих плівок при перпендикулярній геометрії. Проведены исследования кристаллической структуры, морфологии, электропроводности и магниторезистивных свойств сверхтонких плёнок Co с эффективными толщинами в интервале d = 3–30 нм. Показано, что все полученные образцы имеют островковую структуру с размерами отдельных островков 3–5 нм для свежесконденсированных плёнок и до 30 нм для отожжённых при температуре 700 К. Электропроводность и магнитосопротивление плёнок определяются их толщиной и морфологией. Для плёнок с d = 3–10 нм электропроводность является термически активированной, и реализуется туннельное магнитосопротивление. Отжиг плёнок с d = 20–30 нм приводит к появлению анизотропии магнитосопротивления. Максимальное значение туннельного магнитосопротивления составляет 0,5% для свежесконденсированных плёнок при перпендикулярной геометрии. Dependences of crystal structure, morphology, electrical and magnetoresistive properties of ultrathin films of Co on effective thickness in the range of d = 3–30 nm are studied. As shown, all obtained samples have island structure with the sizes of individual islands of 3–5 nm for condensed films and of 30 nm for annealed ones at a temperature of 700 K. Conductivity and magnetoresistance of films are determined by their thickness and morphology. For films with d = 3–10 nm, conductivity is thermally activated, and tunnelling magnetoresistance is realized. Annealing of films with d = 20–30 nm leads to anisotropy magnetoresistance. The maximum value of the tunnelling magnetoresistance of 0.5% for condensed films with perpendicular geometry. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту Article published earlier |
| spellingShingle | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту Шкурдода, Ю.О. Чорноус, А.М. Кравченко, В.О. Лобода, В.Б. |
| title | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
| title_full | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
| title_fullStr | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
| title_full_unstemmed | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
| title_short | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
| title_sort | магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129936 |
| work_keys_str_mv | AT škurdodaûo magnetorezistivnívlastivostínanokristalíčnihplívokkobalʹtu AT čornousam magnetorezistivnívlastivostínanokristalíčnihplívokkobalʹtu AT kravčenkovo magnetorezistivnívlastivostínanokristalíčnihplívokkobalʹtu AT lobodavb magnetorezistivnívlastivostínanokristalíčnihplívokkobalʹtu |