Структурно-фазові, морфологічні та електрофізичні властивості нанокомпозитів FeF₃∙nH₂O (n = 0; 0,33; 3)/С
Роботу присвячено вивченню термічно індукованих структурно-фазових перетворень у системі FeF₃∙nH₂O з аналізою перебігу морфологічних змін матеріялів β-FeF₃∙3H₂O, FeF₃∙0,33H₂O та r-FeF₃. Досліджено механізм провідности фторидів заліза з різними ступенями гідратації та композитів з вуглецем на їх осно...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | Мокляк, В.В., Остафійчук, Б.К., Коцюбинський, В.О., Збіглей, Л.З., Груб’як, А.Б., Колковський, П.І. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129942 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Структурно-фазові, морфологічні та електрофізичні властивості нанокомпозитів FeF₃∙nH₂O (n = 0; 0,33; 3)/С / В.В. Мокляк, Б.К. Остафійчук, В.О. Коцюбинський, Л.З. Збіглей, А.Б. Груб’як, П.І. Колковський // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 3. — С. 403-423. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
The features of NiCx (x < 0.33) phase formation at the mechanochemical alloying of Ni—CNT and N—graphite mixtures
von: O. I. Nakonechna, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Фотокаталітичні властивості нанокомпозитів анатаз/брукіт
von: Коцюбинський, В.О., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Особливості формування фаз NiCx (x < 0,33) за умов механохімічного легування сумішей Ni-ВНТ і Ni-графіт
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2020) -
New low-dimensional molecular conductors α′′-(BEDO-TTF)2Cl·3H2O and θ-(BDH-TTP)2(Br0.67Cl0.33)·3H2O
von: L. V. Zorina, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)