Рекомбинация зарядовых носителей в криокристаллах неона с примесью кислорода

Экспериментально исследована рекомбинация электронов и дырок в неоновых кристаллах, содержащих глубокие ловушки электронов из-за примесного кислорода вместе со слабо локализованными электронными состояниями матрицы. Измерения проводятся методом спектроскопии катодной люминесценции в диапазонах ВУФ,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:1999
Main Author: Белов, А.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129981
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Рекомбинация зарядовых носителей в криокристаллах неона с примесью кислорода / А.Г. Белов // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 1. — С. 53-62. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Экспериментально исследована рекомбинация электронов и дырок в неоновых кристаллах, содержащих глубокие ловушки электронов из-за примесного кислорода вместе со слабо локализованными электронными состояниями матрицы. Измерения проводятся методом спектроскопии катодной люминесценции в диапазонах ВУФ, УФ и видимых длин волн при температурах от 2 до 8К. Обнаружено, что температурные зависимости интегральных интенсивностей собственной и внешней люминесценции в твердых растворах кислорода в неоне сходны и немонотонны по своей природе. Наблюдаемый эффект анализируется в модели двух сосуществующих каналов энергетической релаксации электронных возбуждений: через подсистему экситона Γ (1/2,3/2) и через рекомбинацию автолокализованных двухцентровых дырок и электронов. Показано, что изменения температуры интегральных параметров люминесценции обусловлены в основном особенностями рекомбинационного канала, эффективность которого определяется вероятностью локализации электронов в решетке матрицы в низкотемпературных областях (2,5-5К) и вероятностью улавливание примесных центров в температурном интервале 6-8К. Получены дополнительные доказательства возможности электронного автолокализации в решетке Ne с образованием неглубоких локализованных состояний.