Особенности pезонансного pассеяния фононов плоским дефектом в ГЦК кpисталле

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1999
• Main Authors: Косевич, А.М., Савотченко, С.Е., Мацокин, Д.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
• Subjects: Динамика кристаллической решетки
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129982
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Особенности pезонансного pассеяния фононов плоским дефектом в ГЦК кpисталле / 
 А.М. Косевич, С.Е. Савотченко, Д.В. Мацокин // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 1. — С. 63-71. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы резонансные особенности рассеяния фононов от плоского дефекта в ГЦК-кристалле с центральным взаимодействием между ближайшими соседями. Показано, что резонансные эффекты связаны с взаимодействием фононов двух объемных ветвей на плоском дефекте. Получены дисперсионные кривые для частот резонансной передачи и отражения. Для выяснения физической природы исследуемых резонансов дисперсионные соотношения локализованных на дефекте колебаний вычисляются в широком диапазоне длин волн. Частотные кривые локализованных симметричных колебаний продолжаются в объемном спектре в виде дисперсионных кривых частот резонансных фононов, прошедших через дефект. Resonant peculiarities of phonon scattering from a plane defect in an fcc crystal with the central interaction between nearest neighbors are investigated. It is shown that resonance effects are associated with the interaction of phonons of two bulk branches on a plane defect. Dispersion curves for the frequencies of resonance transmission and reflection are derived. To clarify the physical nature of resonances under investigation, the dispersion relations of vibrations localized at the defect are calculated in a wide range of wavelengths. The frequency curves of localized symmetric vibrations continue in the bulk spectrum in the form of dispersion curves of the frequencies of resonant phonons transmitted through the defect.