Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu

Досліджено структуру поверхні тонких плівок Y₂O₃:Eu, одержаних методою ВЧ-йонно-плазмового напорошення, при зміні концентрації активатора в межах 1,0–7,5 мол.%. Виміряно спектри ІЧ-відбивання одержаних систем тонка плівка Y₂O₃:Eu–підкладинка з топленого кварцу υ-SiO₂ у спектральній області 400–1600...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2017
Автори: Бордун, О.М., Бордун, І.О., Кухарський, І.Й., Пташник, В.В., Цаповська, Ж.Я., Леонов, Д.С.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130029
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu / О.М. Бордун, І.О. Бордун, І.Й. Кухарський, В.В. Пташник, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 27-36. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862711967380144128
author Бордун, О.М.
Бордун, І.О.
Кухарський, І.Й.
Пташник, В.В.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
author_facet Бордун, О.М.
Бордун, І.О.
Кухарський, І.Й.
Пташник, В.В.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
citation_txt Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu / О.М. Бордун, І.О. Бордун, І.Й. Кухарський, В.В. Пташник, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 27-36. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description Досліджено структуру поверхні тонких плівок Y₂O₃:Eu, одержаних методою ВЧ-йонно-плазмового напорошення, при зміні концентрації активатора в межах 1,0–7,5 мол.%. Виміряно спектри ІЧ-відбивання одержаних систем тонка плівка Y₂O₃:Eu–підкладинка з топленого кварцу υ-SiO₂ у спектральній області 400–1600 см–1 при Т = 295 К. Проведено інтерпретацію смуг, пов’язаних з коливними процесами у плівках Y₂O₃:Eu. Встановлено, що смуги ІЧ-відбивання з максимумами в області 1218 і 1253 см⁻¹ є достатньо чутливими до зміни концентрації активатора Eu³⁺, розміру кристалітів, які формують плівку, та структурної досконалості одержаних плівок. Исследована структура поверхности тонких плёнок Y₂O₃:Eu, полученных методом ВЧ-ионно-плазменного напыления, при изменении концентрации активатора в пределах 1,0–7,5 мол.%. Измерены спектры ИК-отражения полученных систем тонкая плёнка Y₂O₃:Eu–подложка из плавленого кварца υ-SiO₂ в спектральной области 400–1600 см⁻¹ при T = 295 К. Проведена интерпретация полос, связанных с колебательными процессами в плёнках Y₂O₃:Eu. Установлено, что полосы ИК-отражения с максимумами в области 1218 и 1253 см⁻¹ являются довольно чувствительными к изменению концентрации активатора Eu³⁺, размеру кристаллитов, которые формируют плёнку, и структурному совершенству полученных плёнок. The structure of the surface of thin films of Y₂O₃:Eu obtained by RF sputtering when the activator concentration varies within the range 1.0–7.5 mol.% is investigated. The spectra of IR reflection of the thin film Y₂O₃:Eu–fused quartz (υ-SiO₂) substrate system at 295 K in region 400–1600 cm⁻¹ are measured. The peaks in the vibrational spectrum of films Y₂O₃:Eu are interpreted. AS revealed, the peaks of IR reflection with maxima at 1218 and 1253 cm⁻¹ are quite sensitive to changes of Eu³⁺ activator concentration, size of crystallites forming the film, and structural perfection of obtained films.
first_indexed 2025-12-07T17:33:42Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130029
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1816-5230
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T17:33:42Z
publishDate 2017
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Бордун, О.М.
Бордун, І.О.
Кухарський, І.Й.
Пташник, В.В.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
2018-02-04T17:16:45Z
2018-02-04T17:16:45Z
2017
Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu / О.М. Бордун, І.О. Бордун, І.Й. Кухарський, В.В. Пташник, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 27-36. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.
1816-5230
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130029
PACS: 42.30.-d, 63.22.dc, 68.37.Ps, 78.20.Ci, 78.30.-j, 78.60.Hk, 81.15.-z
Досліджено структуру поверхні тонких плівок Y₂O₃:Eu, одержаних методою ВЧ-йонно-плазмового напорошення, при зміні концентрації активатора в межах 1,0–7,5 мол.%. Виміряно спектри ІЧ-відбивання одержаних систем тонка плівка Y₂O₃:Eu–підкладинка з топленого кварцу υ-SiO₂ у спектральній області 400–1600 см–1 при Т = 295 К. Проведено інтерпретацію смуг, пов’язаних з коливними процесами у плівках Y₂O₃:Eu. Встановлено, що смуги ІЧ-відбивання з максимумами в області 1218 і 1253 см⁻¹ є достатньо чутливими до зміни концентрації активатора Eu³⁺, розміру кристалітів, які формують плівку, та структурної досконалості одержаних плівок.
Исследована структура поверхности тонких плёнок Y₂O₃:Eu, полученных методом ВЧ-ионно-плазменного напыления, при изменении концентрации активатора в пределах 1,0–7,5 мол.%. Измерены спектры ИК-отражения полученных систем тонкая плёнка Y₂O₃:Eu–подложка из плавленого кварца υ-SiO₂ в спектральной области 400–1600 см⁻¹ при T = 295 К. Проведена интерпретация полос, связанных с колебательными процессами в плёнках Y₂O₃:Eu. Установлено, что полосы ИК-отражения с максимумами в области 1218 и 1253 см⁻¹ являются довольно чувствительными к изменению концентрации активатора Eu³⁺, размеру кристаллитов, которые формируют плёнку, и структурному совершенству полученных плёнок.
The structure of the surface of thin films of Y₂O₃:Eu obtained by RF sputtering when the activator concentration varies within the range 1.0–7.5 mol.% is investigated. The spectra of IR reflection of the thin film Y₂O₃:Eu–fused quartz (υ-SiO₂) substrate system at 295 K in region 400–1600 cm⁻¹ are measured. The peaks in the vibrational spectrum of films Y₂O₃:Eu are interpreted. AS revealed, the peaks of IR reflection with maxima at 1218 and 1253 cm⁻¹ are quite sensitive to changes of Eu³⁺ activator concentration, size of crystallites forming the film, and structural perfection of obtained films.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
Structure and Vibrational Spectra of Thin Films Y₂O₃:Eu
Article
published earlier
spellingShingle Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
Бордун, О.М.
Бордун, І.О.
Кухарський, І.Й.
Пташник, В.В.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
title Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
title_alt Structure and Vibrational Spectra of Thin Films Y₂O₃:Eu
title_full Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
title_fullStr Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
title_full_unstemmed Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
title_short Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu
title_sort структура і коливні спектри тонких плівок y₂o₃:eu
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130029
work_keys_str_mv AT bordunom strukturaíkolivníspektritonkihplívoky2o3eu
AT bordunío strukturaíkolivníspektritonkihplívoky2o3eu
AT kuharsʹkiiíi strukturaíkolivníspektritonkihplívoky2o3eu
AT ptašnikvv strukturaíkolivníspektritonkihplívoky2o3eu
AT capovsʹkažâ strukturaíkolivníspektritonkihplívoky2o3eu
AT leonovds strukturaíkolivníspektritonkihplívoky2o3eu
AT bordunom structureandvibrationalspectraofthinfilmsy2o3eu
AT bordunío structureandvibrationalspectraofthinfilmsy2o3eu
AT kuharsʹkiiíi structureandvibrationalspectraofthinfilmsy2o3eu
AT ptašnikvv structureandvibrationalspectraofthinfilmsy2o3eu
AT capovsʹkažâ structureandvibrationalspectraofthinfilmsy2o3eu
AT leonovds structureandvibrationalspectraofthinfilmsy2o3eu