Структура і коливні спектри тонких плівок Y₂O₃:Eu - Бордун, О.М.; Бордун, І.О.; Кухарський, І.Й.; Пташник, В.В.; Цаповська, Ж.Я.; Леонов, Д.С. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017)
Досліджено структуру поверхні тонких плівок Y₂O₃:Eu, одержаних методою ВЧ-йонно-плазмового напорошення, при зміні концентрації активатора в межах 1,0–7,5 мол.%. Виміряно спектри ІЧ-відбивання одержаних систем тонка плівка Y₂O₃:Eu–підкладинка з топленого кварцу υ-SiO₂ у спектральній області 400–1600 см–1 при Т = 295 К. Проведено інтерпретацію смуг, пов’язаних з коливними процесами у плівках Y₂O₃:Eu. Встановлено, що смуги ІЧ-відбивання з максимумами в області 1218 і 1253 см⁻¹ є достатньо чутливими до зміни концентрації активатора Eu³⁺, розміру кристалітів, які формують плівку, та структурної досконалості одержаних плівок. Исследована структура поверхности тонких плёнок Y₂O₃:Eu, полученных методом ВЧ-ионно-плазменного напыления, при изменении концентрации активатора в пределах 1,0–7,5 мол.%. Измерены спектры ИК-отражения полученных систем тонкая плёнка Y₂O₃:Eu–подложка из плавленого кварца υ-SiO₂ в спектральной области 400–1600 см⁻¹ при T = 295 К. Проведена интерпретация полос, связанных с колебательными процессами в плёнках Y₂O₃:Eu. Установлено, что полосы ИК-отражения с максимумами в области 1218 и 1253 см⁻¹ являются довольно чувствительными к изменению концентрации активатора Eu³⁺, размеру кристаллитов, которые формируют плёнку, и структурному совершенству полученных плёнок. The structure of the surface of thin films of Y₂O₃:Eu obtained by RF sputtering when the activator concentration varies within the range 1.0–7.5 mol.% is investigated. The spectra of IR reflection of the thin film Y₂O₃:Eu–fused quartz (υ-SiO₂) substrate system at 295 K in region 400–1600 cm⁻¹ are measured. The peaks in the vibrational spectrum of films Y₂O₃:Eu are interpreted. AS revealed, the peaks of IR reflection with maxima at 1218 and 1253 cm⁻¹ are quite sensitive to changes of Eu³⁺ activator concentration, size of crystallites forming the film, and structural perfection of obtained films.