Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2017
• Main Authors: Pokutnyi, S.I., Gorbyk, P.P., Makhno, S.M., Prokopenko, S.L., Mazurenko, R.V.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130030
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass. Было установлено, что в пределах ширины запрещённой зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещённой зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы. Було встановлено, що в межах ширини забороненої зони квантової точки з селеніду цинку з'являється зона екситонних станів, розташована в нижній частині зони провідности. Було показано, що зменшення ширини забороненої зони цієї наносистеми зумовлене переходом електрона з квантово-розмірного рівня у валентній зоні квантової точки до рівнів зони екситонних станів. Залежність енергії основного стану екситона від радіюса квантової точки було одержано з використанням модифікованої методи ефективної маси.