Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the vale...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130030 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130030 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. 2018-02-04T17:18:47Z 2018-02-04T17:18:47Z 2017 Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1816-5230 PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 73.21.La, 73.22.Lp, 78.67.Hc, 81.07.Ta https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130030 As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass. Было установлено, что в пределах ширины запрещённой зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещённой зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы. Було встановлено, що в межах ширини забороненої зони квантової точки з селеніду цинку з'являється зона екситонних станів, розташована в нижній частині зони провідности. Було показано, що зменшення ширини забороненої зони цієї наносистеми зумовлене переходом електрона з квантово-розмірного рівня у валентній зоні квантової точки до рівнів зони екситонних станів. Залежність енергії основного стану екситона від радіюса квантової точки було одержано з використанням модифікованої методи ефективної маси. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
| spellingShingle |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. |
| title_short |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
| title_full |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
| title_fullStr |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
| title_full_unstemmed |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
| title_sort |
excitons in nanosystems consisting of semiconductor quantum dots |
| author |
Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. |
| author_facet |
Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. |
| publishDate |
2017 |
| language |
English |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass.
Было установлено, что в пределах ширины запрещённой зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещённой зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы.
Було встановлено, що в межах ширини забороненої зони квантової точки з селеніду цинку з'являється зона екситонних станів, розташована в нижній частині зони провідности. Було показано, що зменшення ширини забороненої зони цієї наносистеми зумовлене переходом електрона з квантово-розмірного рівня у валентній зоні квантової точки до рівнів зони екситонних станів. Залежність енергії основного стану екситона від радіюса квантової точки було одержано з використанням модифікованої методи ефективної маси.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130030 |
| citation_txt |
Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT pokutnyisi excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT gorbykpp excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT makhnosm excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT prokopenkosl excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT mazurenkorv excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots |
| first_indexed |
2025-12-07T21:09:28Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:09:28Z |
| _version_ |
1850885294636662784 |