Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the vale...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | Pokutnyi, S.I., Gorbyk, P.P., Makhno, S.M., Prokopenko, S.L., Mazurenko, R.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130030 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Excitons and exciton quasimolecules states in nanosystems of semiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2019) -
Exciton states in semiconductor nanosystems
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2016) -
Exciton quasimolecules in nanosystems with semiconductor and dielectric colloidal quantum dots: a review
за авторством: S. I. Pokytnyi, та інші
Опубліковано: (2022) -
Theory of spatially indirect excitons in nanosystems containing double semiconductors quantum dots
за авторством: S. I. Pokytnii, та інші
Опубліковано: (2023) -
Excitonic emission of hybrid nanosystem "spherical semiconductor quantum dot + spherical metal nanoparticle"
за авторством: Yu. V. Kriuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)