Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозит...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130032 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862739293997367296 |
|---|---|
| author | Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. |
| author_facet | Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. |
| citation_txt | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозитні матеріяли при різних температурах і, досліджуючи їхні електричні властивості, встановити внесок йонної провідности нанорозмірних включень із вертикальними розмірами порядку ширини Ван-дер-Ваальсової щілини у загальну провідність структури. Дослідження морфології поверхні зразків нанокомпозитних матеріялів здійснювалося за допомогою атомного силового мікроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments).
В данной работе был создано нанокомпозит — слоистый кристалл-сегнетоэлектрик. В качестве ионной соли использовался нитрат рубидия. Нитрат рубидия имеет самую высокую ионную проводимость среди нитратов. Поэтому, используя этот материал с относительно невысокой температурой плавления, можно изготовить нанокомпозитные материалы при различных температурах и, исследуя их электрические свойства, установить вклад ионной проводимости наноразмерных включений с вертикальными размерами порядка ширины Ван-дер-Ваальсовой щели в общую проводимость структуры. Исследование морфологии поверхности образцов нанокомпозитных материалов осуществлялось с помощью атомного силового микроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments).
In this work, a new nanocomposite—layered ferroelectric crystal is fabricated. As ionic salt, rubidium nitrate is used. Rubidium nitrate has the highest ionic conductivity of nitrates. Therefore, using this material with a relatively low melting point, nanocomposite materials can be fabricated at various temperatures and, examining their electrical properties, it is possible to determine the contribution of ionic conductivity of nanoscale particles with vertical dimensions of the order of Van der Waals gap width in the overall conductivity of a structure. Study of the surface morphology of nanocomposite-materials’ samples is carried out using an atomic force microscope (AFM) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments).
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:08:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130032 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:08:22Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. 2018-02-04T17:23:56Z 2018-02-04T17:23:56Z 2017 Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. 1816-5230 PACS: 62.23.Pq, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 71.20.Tx, 77.84.Lf, 81.16.Be https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130032 В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозитні матеріяли при різних температурах і, досліджуючи їхні електричні властивості, встановити внесок йонної провідности нанорозмірних включень із вертикальними розмірами порядку ширини Ван-дер-Ваальсової щілини у загальну провідність структури. Дослідження морфології поверхні зразків нанокомпозитних матеріялів здійснювалося за допомогою атомного силового мікроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). В данной работе был создано нанокомпозит — слоистый кристалл-сегнетоэлектрик. В качестве ионной соли использовался нитрат рубидия. Нитрат рубидия имеет самую высокую ионную проводимость среди нитратов. Поэтому, используя этот материал с относительно невысокой температурой плавления, можно изготовить нанокомпозитные материалы при различных температурах и, исследуя их электрические свойства, установить вклад ионной проводимости наноразмерных включений с вертикальными размерами порядка ширины Ван-дер-Ваальсовой щели в общую проводимость структуры. Исследование морфологии поверхности образцов нанокомпозитных материалов осуществлялось с помощью атомного силового микроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). In this work, a new nanocomposite—layered ferroelectric crystal is fabricated. As ionic salt, rubidium nitrate is used. Rubidium nitrate has the highest ionic conductivity of nitrates. Therefore, using this material with a relatively low melting point, nanocomposite materials can be fabricated at various temperatures and, examining their electrical properties, it is possible to determine the contribution of ionic conductivity of nanoscale particles with vertical dimensions of the order of Van der Waals gap width in the overall conductivity of a structure. Study of the surface morphology of nanocomposite-materials’ samples is carried out using an atomic force microscope (AFM) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> New Nanocomposite Ferroelectric Materials—Layered Crystals of n-InSe<RbNO₃> and p-GaSe<RbNO₃> Article published earlier |
| spellingShingle | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. |
| title | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_alt | New Nanocomposite Ferroelectric Materials—Layered Crystals of n-InSe<RbNO₃> and p-GaSe<RbNO₃> |
| title_full | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_fullStr | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_full_unstemmed | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_short | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_sort | нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-inse<rbno₃> та p-gase<rbno₃> |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130032 |
| work_keys_str_mv | AT bahtínovap novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininseltrbno3tapgaseltrbno3 AT vodopânovvm novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininseltrbno3tapgaseltrbno3 AT kovalûkzd novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininseltrbno3tapgaseltrbno3 AT netâgavv novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininseltrbno3tapgaseltrbno3 AT tkačukíg novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininseltrbno3tapgaseltrbno3 AT bahtínovap newnanocompositeferroelectricmaterialslayeredcrystalsofninseltrbno3andpgaseltrbno3 AT vodopânovvm newnanocompositeferroelectricmaterialslayeredcrystalsofninseltrbno3andpgaseltrbno3 AT kovalûkzd newnanocompositeferroelectricmaterialslayeredcrystalsofninseltrbno3andpgaseltrbno3 AT netâgavv newnanocompositeferroelectricmaterialslayeredcrystalsofninseltrbno3andpgaseltrbno3 AT tkačukíg newnanocompositeferroelectricmaterialslayeredcrystalsofninseltrbno3andpgaseltrbno3 |