Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозит...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Нетяга, В.В., Ткачук, І.Г. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130032 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
by: Нетяга, В.В., et al.
Published: (2018)
by: Нетяга, В.В., et al.
Published: (2018)
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
by: V. V. Netjaga, et al.
Published: (2018)
by: V. V. Netjaga, et al.
Published: (2018)
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2017)
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2017)
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2017)
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2017)
Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2016)
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2016)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
by: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Published: (2015)
by: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Published: (2015)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2010)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2010)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010)
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010)
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010)
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010)
Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2016)
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2016)
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2012)
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2012)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2016)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2016)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Кудринский, З.Р., et al.
Published: (2012)
by: Кудринский, З.Р., et al.
Published: (2012)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2009)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2009)
Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type &lt;β–CD&lt;FeSO4&gt;&gt;) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
by: P. P. Kostrobij, et al.
Published: (2021)
by: P. P. Kostrobij, et al.
Published: (2021)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
by: Хейфец, О.Л., et al.
Published: (2007)
by: Хейфец, О.Л., et al.
Published: (2007)
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
by: Мінтянський, І.В., et al.
Published: (2013)
by: Мінтянський, І.В., et al.
Published: (2013)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)
Luminescence of crystals ZnSe &lt;AI&gt;:Gd
by: V. P. Makhniy, et al.
Published: (2018)
by: V. P. Makhniy, et al.
Published: (2018)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2015)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2015)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
by: Z. D. Kovalyuk, et al.
Published: (2012)
by: Z. D. Kovalyuk, et al.
Published: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2012)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2012)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2010)
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2010)
Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2014)
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2014)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
by: Bercha, D.M., et al.
Published: (2000)
by: Bercha, D.M., et al.
Published: (2000)
Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
by: Baranovskiy, A.E., et al.
Published: (2009)
by: Baranovskiy, A.E., et al.
Published: (2009)
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
by: Halyan, V.V., et al.
Published: (2009)
by: Halyan, V.V., et al.
Published: (2009)
Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
by: Гаврилюк, С.В., et al.
Published: (2014)
by: Гаврилюк, С.В., et al.
Published: (2014)
Study of the excitation of 11/2&lt;sup&gt;–&lt;/sup&gt; isomeric state of the nucleus &lt;sup&gt;139&lt;/sup&gt;Se in reaction (&amp;gamma;,n)&lt;sup&gt;m&lt;/sup&gt; in the giant E1-resonance region
by: V. M. Mazur, et al.
Published: (2017)
by: V. M. Mazur, et al.
Published: (2017)
Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2015)
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2015)
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2022)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2022)
Phase separation in iron chalcogenide superconductor Rb₀.₈₊xFe₁.₆₊ySe₂ as seen by Raman light scattering and band structure calculations
by: Pashkevich, Yu., et al.
Published: (2016)
by: Pashkevich, Yu., et al.
Published: (2016)
The band energy structure of RbKSO₄ crystals
by: Bovgyra, O.V., et al.
Published: (2007)
by: Bovgyra, O.V., et al.
Published: (2007)
Thermodynamics and dielectric properties of KH₂PO₄, RbH₂PO₄, KH₂AsO₄, RbH₂AsO₄ ferroelectrics
by: Levitskii, R.R., et al.
Published: (2001)
by: Levitskii, R.R., et al.
Published: (2001)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledzyuk, et al.
Published: (2013)
by: V. B. Boledzyuk, et al.
Published: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledziuk, et al.
Published: (2013)
by: V. B. Boledziuk, et al.
Published: (2013)
Similar Items
-
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
by: Нетяга, В.В., et al.
Published: (2018) -
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
by: V. V. Netjaga, et al.
Published: (2018) -
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2017) -
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2017) -
Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2016)