Buchumschlag

Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>

В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозит...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:	2017
Hauptverfasser:	Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Нетяга, В.В., Ткачук, І.Г.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130032
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
von: V. V. Netjaga, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type &lt;β–CD&lt;FeSO4&gt;&gt;) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
von: P. P. Kostrobij, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
von: Хейфец, О.Л., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Luminescence of crystals ZnSe &lt;AI&gt;:Gd
von: V. P. Makhniy, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
von: Baranovskiy, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Study of the excitation of 11/2&lt;sup&gt;–&lt;/sup&gt; isomeric state of the nucleus &lt;sup&gt;139&lt;/sup&gt;Se in reaction (&amp;gamma;,n)&lt;sup&gt;m&lt;/sup&gt; in the giant E1-resonance region
von: V. M. Mazur, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Phase separation in iron chalcogenide superconductor Rb₀.₈₊xFe₁.₆₊ySe₂ as seen by Raman light scattering and band structure calculations
von: Pashkevich, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2016)

The band energy structure of RbKSO₄ crystals
von: Bovgyra, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Thermodynamics and dielectric properties of KH₂PO₄, RbH₂PO₄, KH₂AsO₄, RbH₂AsO₄ ferroelectrics
von: Levitskii, R.R., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)