Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Бахтінов, А.П., Водоп’янов, В.М., Ковалюк, З.Д., Нетяга, В.В., Ткачук, І.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130032
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозит...