Свойства низкотемпературных конденсатов иттербия, полученных в среде газообразного гелия

Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2003
Main Authors: Кузьменко, В.М., Владычкин, А.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130050
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Свойства низкотемпературных конденсатов иттербия, полученных в среде газообразного гелия / В.М. Кузьменко, А.Н. Владычкин // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 11. — С. 1223-1230. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие при отжиге пленок. Соответствующие изменения плотности и подвижности носителей заряда вычислены в рамках двухзонной модели. Предложена модель преобразования структуры низкотемпературных конденсатов газонасыщенного иттербия в процессе отжига. The features of the electronic properties and mechanisms of crystallization of amorphous ytterbium films obtained by low-temperature condensation in a medium of gaseous helium (at a partial pressure of 2,3∙10⁻³-7 Pa) are investigated. The changes of the conductivity, magnetoresistance, and Hall effect upon annealing of the films are investigated. The corresponding changes in the density and mobility of charge carriers are calculated in a two-band model. A model of the structural transformation of low-temperature condensates of gas-saturated ytterbium in the annealing process is proposed.
ISSN:0132-6414