Свойства низкотемпературных конденсатов иттербия, полученных в среде газообразного гелия
Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130050 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Свойства низкотемпературных конденсатов иттербия, полученных в среде газообразного гелия / В.М. Кузьменко, А.Н. Владычкин // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 11. — С. 1223-1230. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие при отжиге пленок. Соответствующие изменения плотности и подвижности носителей заряда вычислены в рамках двухзонной модели. Предложена модель преобразования структуры низкотемпературных конденсатов газонасыщенного иттербия в процессе отжига.
The features of the electronic properties and mechanisms of crystallization of amorphous ytterbium films obtained by low-temperature condensation in a medium of gaseous helium (at a partial pressure of 2,3∙10⁻³-7 Pa) are investigated. The changes of the conductivity, magnetoresistance, and Hall effect upon annealing of the films are investigated. The corresponding changes in the density and mobility of charge carriers are calculated in a two-band model. A model of the structural transformation of low-temperature condensates of gas-saturated ytterbium in the annealing process is proposed.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |