Свойства низкотемпературных конденсатов иттербия, полученных в среде газообразного гелия

Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2003
Hauptverfasser: Кузьменко, В.М., Владычкин, А.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130050
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Свойства низкотемпературных конденсатов иттербия, полученных в среде газообразного гелия / В.М. Кузьменко, А.Н. Владычкин // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 11. — С. 1223-1230. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие при отжиге пленок. Соответствующие изменения плотности и подвижности носителей заряда вычислены в рамках двухзонной модели. Предложена модель преобразования структуры низкотемпературных конденсатов газонасыщенного иттербия в процессе отжига. The features of the electronic properties and mechanisms of crystallization of amorphous ytterbium films obtained by low-temperature condensation in a medium of gaseous helium (at a partial pressure of 2,3∙10⁻³-7 Pa) are investigated. The changes of the conductivity, magnetoresistance, and Hall effect upon annealing of the films are investigated. The corresponding changes in the density and mobility of charge carriers are calculated in a two-band model. A model of the structural transformation of low-temperature condensates of gas-saturated ytterbium in the annealing process is proposed.
ISSN:0132-6414