Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>

• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Дружинин, А.A., Ховерко, Ю.Н., Кутраков, А.П., Корецкий, Р.Н., Яцухненко, С.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130086
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> / А.A. Дружинин, Ю.Н. Ховерко, А.П. Кутраков, Р.Н. Корецкий, С.Ю. Яцухненко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 24-29. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Проведено комплексні дослідження електропровідності та магнетоопору деформованих і недеформованих зразків ниткоподібних кристалів Si р-типу провідності з різним ступенем легування бором та домішкою нікелю у широкому інтервалі температур — від 4,2 до 300 К. Виявлено, що найбільший прояв п'єзорезистивного ефекту спостерігається в околі концентрацій, що відповідають переходу «метал — діелектрик». Дослідження магнетоопору кристалів проводились в інтервалі полів з індукцією до 14 Тл. Як чутливий елемент двофункційного сенсора деформації та магнітного поля запропоновано застосовувати ниткоподібні кристали кремнію з концентрацією домішки бору 5•10¹⁸ см⁻³, працездатні в складних умовах експлуатації.