Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
Проведено комплексні дослідження електропровідності та магнетоопору деформованих і недеформованих зразків ниткоподібних кристалів Si р-типу провідності з різним ступенем легування бором та домішкою нікелю у широкому інтервалі температур — від 4,2 до 300 К. Виявлено, що найбільший прояв п'єзорез...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130086 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> / А.A. Дружинин, Ю.Н. Ховерко, А.П. Кутраков, Р.Н. Корецкий, С.Ю. Яцухненко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 24-29. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862637266333073408 |
|---|---|
| author | Дружинин, А.A. Ховерко, Ю.Н. Кутраков, А.П. Корецкий, Р.Н. Яцухненко, С.Ю. |
| author_facet | Дружинин, А.A. Ховерко, Ю.Н. Кутраков, А.П. Корецкий, Р.Н. Яцухненко, С.Ю. |
| citation_txt | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> / А.A. Дружинин, Ю.Н. Ховерко, А.П. Кутраков, Р.Н. Корецкий, С.Ю. Яцухненко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 24-29. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведено комплексні дослідження електропровідності та магнетоопору деформованих і недеформованих зразків ниткоподібних кристалів Si р-типу провідності з різним ступенем легування бором та домішкою нікелю у широкому інтервалі температур — від 4,2 до 300 К. Виявлено, що найбільший прояв п'єзорезистивного ефекту спостерігається в околі концентрацій, що відповідають переходу «метал — діелектрик». Дослідження магнетоопору кристалів проводились в інтервалі полів з індукцією до 14 Тл. Як чутливий елемент двофункційного сенсора деформації та магнітного поля запропоновано застосовувати ниткоподібні кристали кремнію з концентрацією домішки бору 5•10¹⁸ см⁻³, працездатні в складних умовах експлуатації.
Проведены комплексные исследования электропроводимости и магнетосопротивления деформированных и недеформированных образцов нитевидных кристаллов (НК) Si р-типа с разной степенью легирования бором и примесью никеля в широком интервале температур (от 4,2 до 300 К) и при полях с индукцией до 14 Тл. Установлено, что наибольшее проявление пьезорезистивного эффекта наблюдается в окрестности концентраций, соответствующих переходу «металл — диэлектрик». Образцы для исследований были выращены методом химических газотранспортных реакций в форме НК с кристаллографической ориентацией <111> с концентрацией носителей заряда, соответствующей близости к переходу «металл — диэлектрик» (5•10¹⁸ см⁻³, и введением примеси никеля методом низкотемпературной (до 800°С) термической диффузии из осажденной на поверхности кристалла пленки.
This research investigates complex studies of electrical conductivity and magnetoresistance of both strain and non-strain samples of p-type Si whiskers with different degrees of doping with boron and nickel in a wide temperature range from 4.2 to 300 K. It is established that the greatest manifestation of the piezoresistive effect is observed in the vicinity of concentrations which correspond to the metal-insulator transition. Investigation of the magnetoresistance of crystals was carried out in the range of fields with induction up to 14 T. Whiskers of silicon with a doping concentration of boron of 5•10¹⁸ cm⁻³ can be used as a sensitive element for two-functional deformation and magnetic field sensors in difficult operating conditions.
|
| first_indexed | 2025-11-30T22:42:01Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130086 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T22:42:01Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дружинин, А.A. Ховерко, Ю.Н. Кутраков, А.П. Корецкий, Р.Н. Яцухненко, С.Ю. 2018-02-05T16:20:37Z 2018-02-05T16:20:37Z 2017 Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> / А.A. Дружинин, Ю.Н. Ховерко, А.П. Кутраков, Р.Н. Корецкий, С.Ю. Яцухненко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 24-29. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.3.24 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130086 621.315.592 Проведено комплексні дослідження електропровідності та магнетоопору деформованих і недеформованих зразків ниткоподібних кристалів Si р-типу провідності з різним ступенем легування бором та домішкою нікелю у широкому інтервалі температур — від 4,2 до 300 К. Виявлено, що найбільший прояв п'єзорезистивного ефекту спостерігається в околі концентрацій, що відповідають переходу «метал — діелектрик». Дослідження магнетоопору кристалів проводились в інтервалі полів з індукцією до 14 Тл. Як чутливий елемент двофункційного сенсора деформації та магнітного поля запропоновано застосовувати ниткоподібні кристали кремнію з концентрацією домішки бору 5•10¹⁸ см⁻³, працездатні в складних умовах експлуатації. Проведены комплексные исследования электропроводимости и магнетосопротивления деформированных и недеформированных образцов нитевидных кристаллов (НК) Si р-типа с разной степенью легирования бором и примесью никеля в широком интервале температур (от 4,2 до 300 К) и при полях с индукцией до 14 Тл. Установлено, что наибольшее проявление пьезорезистивного эффекта наблюдается в окрестности концентраций, соответствующих переходу «металл — диэлектрик». Образцы для исследований были выращены методом химических газотранспортных реакций в форме НК с кристаллографической ориентацией <111> с концентрацией носителей заряда, соответствующей близости к переходу «металл — диэлектрик» (5•10¹⁸ см⁻³, и введением примеси никеля методом низкотемпературной (до 800°С) термической диффузии из осажденной на поверхности кристалла пленки. This research investigates complex studies of electrical conductivity and magnetoresistance of both strain and non-strain samples of p-type Si whiskers with different degrees of doping with boron and nickel in a wide temperature range from 4.2 to 300 K. It is established that the greatest manifestation of the piezoresistive effect is observed in the vicinity of concentrations which correspond to the metal-insulator transition. Investigation of the magnetoresistance of crystals was carried out in the range of fields with induction up to 14 T. Whiskers of silicon with a doping concentration of boron of 5•10¹⁸ cm⁻³ can be used as a sensitive element for two-functional deformation and magnetic field sensors in difficult operating conditions. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> Чутливий елемент двофункційного сенсора магнітного поля та деформації на основі мікрокристалів Si<B, Ni> Two-functional sensor of magnetic field and deformation based on Si <B, Ni> microcrystals Article published earlier |
| spellingShingle | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> Дружинин, А.A. Ховерко, Ю.Н. Кутраков, А.П. Корецкий, Р.Н. Яцухненко, С.Ю. Сенсоэлектроника |
| title | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> |
| title_alt | Чутливий елемент двофункційного сенсора магнітного поля та деформації на основі мікрокристалів Si<B, Ni> Two-functional sensor of magnetic field and deformation based on Si <B, Ni> microcrystals |
| title_full | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> |
| title_fullStr | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> |
| title_full_unstemmed | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> |
| title_short | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> |
| title_sort | чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов si<b, ni> |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130086 |
| work_keys_str_mv | AT družininaa čuvstvitelʹnyiélementdvuhfunkcionalʹnogosensoramagnitnogopolâideformaciinaosnovemikrokristallovsiltbni AT hoverkoûn čuvstvitelʹnyiélementdvuhfunkcionalʹnogosensoramagnitnogopolâideformaciinaosnovemikrokristallovsiltbni AT kutrakovap čuvstvitelʹnyiélementdvuhfunkcionalʹnogosensoramagnitnogopolâideformaciinaosnovemikrokristallovsiltbni AT koreckiirn čuvstvitelʹnyiélementdvuhfunkcionalʹnogosensoramagnitnogopolâideformaciinaosnovemikrokristallovsiltbni AT âcuhnenkosû čuvstvitelʹnyiélementdvuhfunkcionalʹnogosensoramagnitnogopolâideformaciinaosnovemikrokristallovsiltbni AT družininaa čutliviielementdvofunkcíinogosensoramagnítnogopolâtadeformacíínaosnovímíkrokristalívsiltbni AT hoverkoûn čutliviielementdvofunkcíinogosensoramagnítnogopolâtadeformacíínaosnovímíkrokristalívsiltbni AT kutrakovap čutliviielementdvofunkcíinogosensoramagnítnogopolâtadeformacíínaosnovímíkrokristalívsiltbni AT koreckiirn čutliviielementdvofunkcíinogosensoramagnítnogopolâtadeformacíínaosnovímíkrokristalívsiltbni AT âcuhnenkosû čutliviielementdvofunkcíinogosensoramagnítnogopolâtadeformacíínaosnovímíkrokristalívsiltbni AT družininaa twofunctionalsensorofmagneticfieldanddeformationbasedonsiltbnimicrocrystals AT hoverkoûn twofunctionalsensorofmagneticfieldanddeformationbasedonsiltbnimicrocrystals AT kutrakovap twofunctionalsensorofmagneticfieldanddeformationbasedonsiltbnimicrocrystals AT koreckiirn twofunctionalsensorofmagneticfieldanddeformationbasedonsiltbnimicrocrystals AT âcuhnenkosû twofunctionalsensorofmagneticfieldanddeformationbasedonsiltbnimicrocrystals |