Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130089 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ / A.В. Семенов, A.В. Лопин, В.Н. Борискин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 40-48. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862706062807793664 |
|---|---|
| author | Семенов, A.В. Лопин, A.В. Борискин, В.Н. |
| author_facet | Семенов, A.В. Лопин, A.В. Борискин, В.Н. |
| citation_txt | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ / A.В. Семенов, A.В. Лопин, В.Н. Борискин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 40-48. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь проявляются в УФ-области спектра поглощения, обусловленной межзонными переходами. Показано, что вслед за начальной разупорядоченностью пленок nc-SiC, полученной при флюенсе 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻², происходит упорядочение структуры при дозах облучения (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Установлено, что начало отжига дефектов в облученных пленках наблюдается уже при 200°C. Существенные изменения оптических свойств в сапфире начинаются при флюенсе 5∙10¹⁷ см⁻², что следует учитывать при использовании этих материалов для оптоэлектронных приборов в условиях интенсивных радиационных воздействий.
Досліджено стійкість до радіації плівок нанокристалічного карбіду кремнію на підкладці з монокристала сапфіра в умовах опромінення високоенергетичними (10 МеВ) електронами в діапазоні 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Встановлено, що радіаційні зміни в плівках nc-SiC в першу чергу проявляються в УФ-області спектра поглинання, яка пов'язана з міжзонними переходами. Показано, що слідом за початковою разупорядкованістю плівок nc-SiC при флюенсі 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻² відбувається впорядкування структури при дозах опромінення (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Встановлено, що початок відпалу дефектів в опромінених плівках спостерігається вже за температури 200°C. Істотні зміни оптичних властивостей в сапфірі починаються при флюенсі 5∙10¹⁷ см⁻², що слід враховувати при використанні цих матеріалів для оптоелектронних приладів і сенсорів в умовах інтенсивного радіаційного впливу.
It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5∙10¹⁴ to 9∙1019 cm⁻² and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—1200°C. It was found that radiation-induced changes in the optical properties of nc-SiC films is primarily manifested in the UV region of the spectrum associated with interband transitions, as well as in the region of the spectrum due to the absorption of intrinsic defects and disordered regions. It was established in the beginning of the annealing of defects in irradiated films has been observed at 200°C, which indicates the high concentration of carbon vacancies with the lowest activation energy. Significant changes in the optical properties of sapphire begin at fluence 5∙10¹⁷ cm⁻², which should be considered when using these materials under conditions of intense radiation impact.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:57:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130089 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:57:23Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Семенов, A.В. Лопин, A.В. Борискин, В.Н. 2018-02-05T16:27:47Z 2018-02-05T16:27:47Z 2017 Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ / A.В. Семенов, A.В. Лопин, В.Н. Борискин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 40-48. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.3.40 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130089 539.216.281,261 Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь проявляются в УФ-области спектра поглощения, обусловленной межзонными переходами. Показано, что вслед за начальной разупорядоченностью пленок nc-SiC, полученной при флюенсе 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻², происходит упорядочение структуры при дозах облучения (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Установлено, что начало отжига дефектов в облученных пленках наблюдается уже при 200°C. Существенные изменения оптических свойств в сапфире начинаются при флюенсе 5∙10¹⁷ см⁻², что следует учитывать при использовании этих материалов для оптоэлектронных приборов в условиях интенсивных радиационных воздействий. Досліджено стійкість до радіації плівок нанокристалічного карбіду кремнію на підкладці з монокристала сапфіра в умовах опромінення високоенергетичними (10 МеВ) електронами в діапазоні 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Встановлено, що радіаційні зміни в плівках nc-SiC в першу чергу проявляються в УФ-області спектра поглинання, яка пов'язана з міжзонними переходами. Показано, що слідом за початковою разупорядкованістю плівок nc-SiC при флюенсі 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻² відбувається впорядкування структури при дозах опромінення (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Встановлено, що початок відпалу дефектів в опромінених плівках спостерігається вже за температури 200°C. Істотні зміни оптичних властивостей в сапфірі починаються при флюенсі 5∙10¹⁷ см⁻², що слід враховувати при використанні цих матеріалів для оптоелектронних приладів і сенсорів в умовах інтенсивного радіаційного впливу. It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5∙10¹⁴ to 9∙1019 cm⁻² and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—1200°C. It was found that radiation-induced changes in the optical properties of nc-SiC films is primarily manifested in the UV region of the spectrum associated with interband transitions, as well as in the region of the spectrum due to the absorption of intrinsic defects and disordered regions. It was established in the beginning of the annealing of defects in irradiated films has been observed at 200°C, which indicates the high concentration of carbon vacancies with the lowest activation energy. Significant changes in the optical properties of sapphire begin at fluence 5∙10¹⁷ cm⁻², which should be considered when using these materials under conditions of intense radiation impact. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного sic на підкладках з монокристала Al₂O₃ Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline sic films on single crystal Al₂O₃ substrates Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ Семенов, A.В. Лопин, A.В. Борискин, В.Н. Материалы электроники |
| title | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ |
| title_alt | Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного sic на підкладках з монокристала Al₂O₃ Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline sic films on single crystal Al₂O₃ substrates |
| title_full | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ |
| title_fullStr | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ |
| title_full_unstemmed | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ |
| title_short | Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ |
| title_sort | влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического sic на подложках из монокристалла al₂o₃ |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130089 |
| work_keys_str_mv | AT semenovav vliânieélektronnogooblučeniânaoptičeskiesvoistvaplenoknanokristalličeskogosicnapodložkahizmonokristallaal2o3 AT lopinav vliânieélektronnogooblučeniânaoptičeskiesvoistvaplenoknanokristalličeskogosicnapodložkahizmonokristallaal2o3 AT boriskinvn vliânieélektronnogooblučeniânaoptičeskiesvoistvaplenoknanokristalličeskogosicnapodložkahizmonokristallaal2o3 AT semenovav vplivelektronnogoopromínennânaoptičnívlastivostíplívoknanokristalíčnogosicnapídkladkahzmonokristalaal2o3 AT lopinav vplivelektronnogoopromínennânaoptičnívlastivostíplívoknanokristalíčnogosicnapídkladkahzmonokristalaal2o3 AT boriskinvn vplivelektronnogoopromínennânaoptičnívlastivostíplívoknanokristalíčnogosicnapídkladkahzmonokristalaal2o3 AT semenovav effectofelectronirradiationontheopticalpropertiesofnanocrystallinesicfilmsonsinglecrystalal2o3substrates AT lopinav effectofelectronirradiationontheopticalpropertiesofnanocrystallinesicfilmsonsinglecrystalal2o3substrates AT boriskinvn effectofelectronirradiationontheopticalpropertiesofnanocrystallinesicfilmsonsinglecrystalal2o3substrates |