Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2017
• Main Authors: Зіньковський, Ю.Ф., Вытяганець, А.І.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
• Subjects: Электронные средства: исследования, разработки
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130095
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача / Ю.Ф. Зіньковський , А.І. Вытяганець // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 4-5. — С. 10-14. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Проведено тривимірне моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача активної потужності та показано розподіл струму і напруженості тангенціального електричного поля в ньому. Отримано вираз для розрахунку вхідного опору перетворювача, необхідного для обчислення струму в плівці. Проведено моделирование структуры чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя активной мощности, показано распределение тока и напряжения тангенциального электрического поля в нем. Получено выражение для расчета входного сопротивления преобразователя, необходимое для нахождения тока в пленке. In the analysis of the electromagnetic structure the distribution and direction of current and the tangential electric field (E-fields) are found. The sensing element of the converter, which is used in the magnetoresistive system, is designed to measure active power in the frequency range from DC to hundreds of megahertz. An expression for the input resistance of the measuring transducer of the active power required for calculating the current in the film is obtained. The simulation of the current distribution and tension of the tangential electric field in the three-dimensional structure of the sensitive element of the magnetoresistive measuring converter of active power was carried out. Knowing the direction of current along the structure it is possible to dampen the parasitic components of the current across the structure, which allows improving the topology of the sensitive element of the converter.