Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
Представлены результаты исследования влияния количества кислорода в смеси с гексафторидом серы на скорость и анизотропию травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем. Процесс травления проходил при давлении в рабочей камере (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, энергия химически активн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130099 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем / В.В. Гладковский , О.А. Федорович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 4-5. — С. 40-44. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130099 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гладковский, В.В. Федорович, О.А. 2018-02-05T19:50:48Z 2018-02-05T19:50:48Z 2017 Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем / В.В. Гладковский , О.А. Федорович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 4-5. — С. 40-44. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.4-5.40 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130099 535.5 Представлены результаты исследования влияния количества кислорода в смеси с гексафторидом серы на скорость и анизотропию травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем. Процесс травления проходил при давлении в рабочей камере (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, энергия химически активных ионов составляла 50—80 эВ. Исследовано влияние магнитного поля на скорость и анизотропию травления. Показано, что увеличение напряженности магнитного поля приводит к ухудшению анизотропии. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазмохимического травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем в смеси SF₆—O₂, что позволило протравить кремний на глубину 100 мкм с анизотропией 10 при использовании защитной никелевой маски толщиной 0,4—1,0 мкм. Наведено результати досліджень впливу кількості кисню в суміші з гексафторидом сірки на швидкість і анізотропію травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем. Процес травлення проходив при тиску в робочій камері (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, енергія хімічно активних іонів становила 50—80 еВ. Досліджено вплив магнітного поля на швидкість і анізотропію травлення. Показано, що збільшення напруженості магнітного поля призводить до погіршення анізотропії. Розроблено та оптимізовано процес глибокого плазмохімічного травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем в газовій суміші SF₆—O₂, що дозволило протравити кремній на глибину 100 мкм з анізотропією 10 при використанні захисної нікелевої маски товщиною 0,4—1,0 мкм. The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)∙10⁻³ Torr in the working chamber and the energy of chemically active ions of 50—80 eV. It was possible to etch the silicon to the depth of 100 μm with anisotropy 10, using a thick (0.4—1 μm) nickel mask.The obtained results make it evident, that maximums do not coincide for speed of etch and anisotropy. The maximum of etch rate is observed at oxygen maintained at 5%. While the maximum of anisotropy is observed at 10% oxygen. The authors discovered the influence of the magnetic field on the rate and anisotropy of etching. Etch rate of the silicon at the increase of the magnetic-field tension increases virtually twofold at other discharge parameters remaining unchanged. The anisotropy first increases, and then decreases sharply. Thus, the increase of the tension of magnetic field results in worsening of anisotropy. Thus, the process of deep plasma-chemical etching of silicon has been developed and optimized. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем |
| spellingShingle |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем Гладковский, В.В. Федорович, О.А. Материалы электроники |
| title_short |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем |
| title_full |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем |
| title_fullStr |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем |
| title_full_unstemmed |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем |
| title_sort |
исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем |
| author |
Гладковский, В.В. Федорович, О.А. |
| author_facet |
Гладковский, В.В. Федорович, О.А. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2017 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field |
| description |
Представлены результаты исследования влияния количества кислорода в смеси с гексафторидом серы на скорость и анизотропию травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем. Процесс травления проходил при давлении в рабочей камере (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, энергия химически активных ионов составляла 50—80 эВ. Исследовано влияние магнитного поля на скорость и анизотропию травления. Показано, что увеличение напряженности магнитного поля приводит к ухудшению анизотропии. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазмохимического травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем в смеси SF₆—O₂, что позволило протравить кремний на глубину 100 мкм с анизотропией 10 при использовании защитной никелевой маски толщиной 0,4—1,0 мкм.
Наведено результати досліджень впливу кількості кисню в суміші з гексафторидом сірки на швидкість і анізотропію травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем. Процес травлення проходив при тиску в робочій камері (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, енергія хімічно активних іонів становила 50—80 еВ. Досліджено вплив магнітного поля на швидкість і анізотропію травлення. Показано, що збільшення напруженості магнітного поля призводить до погіршення анізотропії. Розроблено та оптимізовано процес глибокого плазмохімічного травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем в газовій суміші SF₆—O₂, що дозволило протравити кремній на глибину 100 мкм з анізотропією 10 при використанні захисної нікелевої маски товщиною 0,4—1,0 мкм.
The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)∙10⁻³ Torr in the working chamber and the energy of chemically active ions of 50—80 eV. It was possible to etch the silicon to the depth of 100 μm with anisotropy 10, using a thick (0.4—1 μm) nickel mask.The obtained results make it evident, that maximums do not coincide for speed of etch and anisotropy. The maximum of etch rate is observed at oxygen maintained at 5%. While the maximum of anisotropy is observed at 10% oxygen. The authors discovered the influence of the magnetic field on the rate and anisotropy of etching. Etch rate of the silicon at the increase of the magnetic-field tension increases virtually twofold at other discharge parameters remaining unchanged. The anisotropy first increases, and then decreases sharply. Thus, the increase of the tension of magnetic field results in worsening of anisotropy. Thus, the process of deep plasma-chemical etching of silicon has been developed and optimized.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130099 |
| citation_txt |
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем / В.В. Гладковский , О.А. Федорович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 4-5. — С. 40-44. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gladkovskiivv issledovanievliânikislorodanaskorostʹianizotropiûglubinnogotravleniâkremniâvplazmohimičeskomreaktoresupravlâemymmagnitnimpolem AT fedorovičoa issledovanievliânikislorodanaskorostʹianizotropiûglubinnogotravleniâkremniâvplazmohimičeskomreaktoresupravlâemymmagnitnimpolem AT gladkovskiivv doslídžennâvplivukisnûnašvidkístʹíanízotropíûglibinnogotravlennâkremníûvplazmohímíčnomureaktorízkerovanimmagnítnimpolem AT fedorovičoa doslídžennâvplivukisnûnašvidkístʹíanízotropíûglibinnogotravlennâkremníûvplazmohímíčnomureaktorízkerovanimmagnítnimpolem AT gladkovskiivv investigationoftheinfluenceofoxygenontherateandanisotropyofdeepetchingofsiliconintheplasmachemicalreactorwiththecontrolledmagneticfield AT fedorovičoa investigationoftheinfluenceofoxygenontherateandanisotropyofdeepetchingofsiliconintheplasmachemicalreactorwiththecontrolledmagneticfield |
| first_indexed |
2025-12-07T13:20:28Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:20:28Z |
| _version_ |
1850855787857969152 |